Vertikaler Leistungstransistor, Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Vertikalen Leistungstransistors
EP2502274
Art B1
31. Juli 2019
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2502274
- Aktenzeichen
- EP09851400
- Anmeldetag
- 19. November 2009
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2019
- Erteilung
- 31. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338// H01L29/20H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Pomper, Till
NoneToulouse
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Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse