Spannungsbasierte Techniken zur Erkennung eines bevorstehenden Lesefehlers in einem nichtflüchtigen Speicherarray

EP2669895 Art B1 23. Januar 2019

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2669895
Aktenzeichen
EP13169541
Anmeldetag
28. Mai 2013
Veröffentlichung
23. Januar 2019
Erteilung
23. Januar 2019
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/50G11C29/42G11C29/04G11C29/06G11C29/52G11C16/34G06F11/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
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Fachgebiete
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