Leistungstransistor mit Wärmeableitung und Verfahren dafür
EP2680306
Art B1
9. Januar 2019
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2680306
- Aktenzeichen
- EP13172879
- Anmeldetag
- 19. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2019
- Erteilung
- 9. Januar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L23/433
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Pomper, Till
NoneToulouse
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Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse