Sensorgehäuse auf Waferebene und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2684837
Art B1
15. Mai 2019
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2684837
- Aktenzeichen
- EP13173238
- Anmeldetag
- 21. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2019
- Erteilung
- 15. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse