Halbleiterbauelement mit einem Bereich mit Erhöhtem Widerstand und Verfahren zur Herstellung davon
EP3226304
Art B1
5. April 2023
Anmelder: NXP USA, Inc., NXP B.V. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3226304
- Aktenzeichen
- EP16204531
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 5. April 2023
- Erteilung
- 5. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/207H01L21/331H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
NXP B.V. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse