System und Verfahren zur Charakterisierung von Kritischen Parametern, die aus einem Halbleiterbauelementherstellungsverfahren Resultieren
EP3284715
Art B1
28. August 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3284715
- Aktenzeichen
- EP17172327
- Anmeldetag
- 22. Mai 2017
- Veröffentlichung
- 28. August 2019
- Erteilung
- 28. August 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse