Lateral Diffundierter Mosfet mit Isolationszone

EP3285299 Art A3 13. Juni 2018

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3285299
Aktenzeichen
EP17181075
Anmeldetag
12. Juli 2017
Veröffentlichung
13. Juni 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/06H01L29/78// H01L27/07H01L29/10H01L29/66H01L29/06H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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