Halbleiterbauelementstruktur mit Nichtplanarer Seitenwand und Verfahren zur Herstellung mittels eines Dotierten Dielektrikums

EP3306670 Art B1 23. März 2022

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3306670
Aktenzeichen
EP17181954
Anmeldetag
18. Juli 2017
Veröffentlichung
23. März 2022
Erteilung
23. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/3115H01L21/311H01L21/331H01L29/732H01L29/06H01L29/10// H01L29/08H01L29/737
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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