Anmos-Transistor mit Vergrabenem P-Typ-Bereich und Erweitertem Drain
EP3419048
Art A3
3. April 2019
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3419048
- Aktenzeichen
- EP18166136
- Anmeldetag
- 6. April 2018
- Veröffentlichung
- 3. April 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L27/12H01L29/08H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse