Feldeffekttransistor und Verfahren dafür

EP3460854 Art A1 27. März 2019

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3460854
Aktenzeichen
EP18188088
Anmeldetag
8. August 2018
Veröffentlichung
27. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/40H01L29/06H01L29/423H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektrische Energietechnik Software & Datenverarbeitung
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