Transistorchip mit Drain- und Gate-Anschluss und Verfahren zur Herstellung davon
EP3462481
Art A1
3. April 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3462481
- Aktenzeichen
- EP18188155
- Anmeldetag
- 9. August 2018
- Veröffentlichung
- 3. April 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/482H01L29/66H01L23/047H01L23/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse