Bondpadstruktur für Halbleiterelementgehäuse

EP3499565 Art A1 19. Juni 2019

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3499565
Aktenzeichen
EP18211305
Anmeldetag
10. Dezember 2018
Veröffentlichung
19. Juni 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/49H01L23/485H01L23/495
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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