Halbleiterbauelemente mit Dotierten Bereichen, die als Erhöhte Widerstandsbereiche oder Diffusionsbarrieren Funktionieren, und Verfahren zur Herstellung davon
EP3503202
Art A3
13. November 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3503202
- Aktenzeichen
- EP18211318
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 13. November 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/02H01L29/32H01L29/10// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse