Hf-Schalter, Integrierte Schaltungen und Vorrichtungen mit Multi-Gate-Feldeffekttransistoren und Spannungsausgleichsschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung
EP3534400
Art A1
4. September 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3534400
- Aktenzeichen
- EP19153903
- Anmeldetag
- 28. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 4. September 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02// H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Pomper, Till
NoneToulouse