Halbleiterbauelement mit Offenem Hohlraum und Verfahren dafür
EP4235767
Art A3
25. Oktober 2023
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4235767
- Aktenzeichen
- EP23155800
- Anmeldetag
- 9. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 25. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00H01L21/56H01L23/538H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Hardingham, Christopher Mark
NXP Semiconductors · Hamburg