Halbleiterbauelement mit Verdrahteter Unter-Höcker-Struktur und Verfahren dafür

EP4468343 Art A1 27. November 2024

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4468343
Aktenzeichen
EP24175251
Anmeldetag
10. Mai 2024
Veröffentlichung
27. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/498H01L23/50H01L21/60// H01L23/31
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Colaiuda, Antonella NXP Semiconductors Germany GmbH · Inhouse Hamburg, Deutschland
141
Patente gesamt
9
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Elektronik & Schaltungstechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
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