Halbleitervorrichtung mit Umverdrahtungsschicht und Verfahren dafür
EP4498408
Art A1
29. Januar 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4498408
- Aktenzeichen
- EP24190311
- Anmeldetag
- 23. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L23/485
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Hardingham, Christopher Mark
NXP Semiconductors · Hamburg