Trench-Mosfet aus Siliziumkarbid
Anmelder: II-VI Delaware, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4716407
- Anmeldetag
- 28. Mai 2025
- Veröffentlichung
- 25. März 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- (KOBAYASHI YUSUKE et al.)
Abstract
A new design of a silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and method of manufacturing the MOSFET are disclosed. The SiC MOSFET features a trench formed in SiC layers that includes a buried p-well region near the bottom of the trench that extends along a sidewall of the trench. The SiC MOSFET may also include a p-body and built-in channel on an opposite sides of the trench. The SiC MOSFET configurations may help prevent dielectric breakdown and bipolar degradation in the SiC.
Anmelder
- Firma
- II-VI Delaware, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das optische Komponenten, Laser und Halbleiterbauteile für Telekommunikation, Industrie und Sensorik entwickelt, Teil von Coherent.
148 Patente in unserer Datenbank
Verbindet unter der Marke Forte IP patentanwaltliche und rechtsanwaltliche Expertise an Standorten in Berlin, München, Düsseldorf, Basel, London und Wien. Begleitet integrierte IP-Portfolios aus Patenten, Marken und Designs sowie Lizenzverträge, mit dem Anspruch, Smart Intellectual Property Management.