Durch Back-End-Of-Line Kompatibles Abstimmbares Probabilistisches Element eines Ferroelektrischen Feldeffekttransistors
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4718976
- Anmeldetag
- 27. September 2024
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
This disclosure relates generally to a ferroelectric field effect transistor (FeFET) device suitable for probabilistic computing. The FeFET devices is usable as tunable probabilistic element in a network. A computing device comprising the network is also proposed. The FeFET device comprising a channel layer comprising an oxide semiconductor material and/or a 2D semiconductor material. The FeFET device further comprises a gate structure on the channel layer, the gate structure comprising a ferroelectric or anti-ferroelectric layer and a gate layer arranged on the ferroelectric or anti-ferroelectric layer. The gate structure is arranged between a source contact and a drain contact, which are additionally arranged on the channel layer.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
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