Verfahren zur Herstellung einer Ferroelektrischen Speicheranordnung mit einem Ersatz-Metall-Gate
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4718986
- Anmeldetag
- 26. September 2024
- Veröffentlichung
- 1. April 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D64/01, H10B51/20
Abstract
The present disclosure relates to a method for fabricating a memory device, for example, a ferroelectric memory device. Further, the disclosure relates to a structure suitable for building the memory device. The method of this disclosure comprises a replacement metal gate (RMG) process, wherein sacrificial layers of a stack are replaced with metal layers. The RMG process is performed before a process of forming memory structures in memory holes, which extend through the stack. In this way, the memory structures can be formed with low thermal budget, for instance, at temperatures below 400°C, which is of benefit particularly for ferroelectric layers of memory structures of a ferroelectric memory device.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
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