Nand-Flash-Speichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Nand-Flash-Speichervorrichtung
Anmelder: Imec VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4811953
- Anmeldetag
- 21. März 2025
- Veröffentlichung
- 23. September 2026
- Rechtsraum
- EP
Abstract
The disclosure relates to a NAND flash memory device (10). The NAND flash memory device (10) comprises: a semiconductor channel layer (12) extending along a first axis; a first dielectric layer (13) arranged above the semiconductor channel layer (12); a charge storage layer (14) arranged on the first dielectric layer (13); a second dielectric layer (15) arranged on the charge storage layer (14); and a plurality of gate structures (19) arranged above the second dielectric layer (15) and along the first axis; wherein each gate structure (19) comprises a first section (16) and a second section (17), wherein the first section (16) and the second section (17) are designed to have different work functions, and wherein the first section (16) and the second section (17) are arranged next to each other along the first axis.
Anmelder
- Firma
- Imec VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
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