Melexis Technologies Patente

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A magnetic sensor device (99) comprises a substrate (10). A first magnetic sensor (A), a second magnetic sensor (B), and one or more inductors (20) are disposed over the substrate (10) and are controlled by a magnetic sensor controller (40) having a control circuit (42). The control circuit (42) is adapted for controlling the first magnetic sensor (A) to measure a first magnetic field (Al) and for controlling the second magnetic sensor (B- to measure a second magnetic field (B1) under presence of a fifth magnetic field generated by the inductors (20). The control circuit (42) is adapted for controlling the first magnetic sensor (A) to measure a third magnetic field (A2) and for controlling the second magnetic sensor (B) to measure a fourth magnetic field (B2) under presence of a sixth magnetic field generated by the inductors (20), the fifth magnetic field and the sixth magnetic field being different. The control circuit calculates a relative sensitivity matching value (S) that converts magnetic field values measured by the second magnetic sensor (B) to a comparable magnetic field value measured by the first magnetic sensor (A) or vice versa.

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Die Erfindung betrifft einen in einen Halbleiterchip (1) integrierten vertikalen Hallsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der vertikale Hallsensor weist eine elektrisch leitenden Wanne (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps auf, die in ein elektrisch leitendes Gebiet (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist. Die elektrischen Kontakte (4) sind entlang einer Geraden (6) an einer planaren Oberfläche (5) der elektrisch leitenden Wanne (2) angeordnet. Die elektrisch leitende Wanne (2) wird mittels hochenergetischer Ionenimplantation und anschliessender Erwärmung erzeugt, so dass sie ein Dotierungsprofil aufweist, das entweder ein Maximum hat, das sich in einer Tiefe T 1 von der planaren Oberfläche (5) der elektrisch leitenden Wanne (2) befindet, oder bis zu einer Tiefe T 2 im wesentlichen konstant ist.

The present invention relates to a field-sensor device comprising a first field sensor with a first sensor response to a field, the first sensor response measured in a first orientation to produce a first sensor signal, a second field sensor with a second sensor response to the field the second sensor response measured in a second orientation different from the first orientation to produce a second sensor signal, and a controller for controlling the first and second field sensors to produce respective first and second sensor signals. The controller comprises a control circuit that converts any combination of first and second sensor signals to equivalent first and second comparable sensor signals in a common orientation, calculates an error signal derived from differences between the first and second comparable sensor signals, and adjusts any combination of the first and second sensor responses to reduce the error signal.

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A method (400) for detecting an error in a bridge sensor (100) which is adapted for measuring a physical parameter. The method comprises biasing (410) a first contact pair of the bridge sensor (100) at least two times in a first direction and at least one time in a second direction opposite to the first direction; while biasing the first contact pair, measuring (420) an output signal on a different contact pair of the bridge sensor, thus obtaining at least three output measurements which are representative for the physical parameter and which are separated by time intervals; combining (430) the output measurements to obtain an output value which is indicative for an error in the bridge sensor, wherein the output measurements which are combined are only those output measurements which are measured when biasing the first contact pair.

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A semiconductor device (100) for measuring IR radiation comprising: at least one sensor pixel (10); at least one reference pixel (20) shielded from said IR radiation comprising a heater (23); a controller (50) adapted for: measuring a responsivity by applying power to the heater, while not heating the sensor pixel; measuring a first output signal of an unheated pixel and a first reference output signal of the heated pixel, obtaining the responsivity as a function of a measure of the applied power to the heater and of the difference between the first output signal and the first reference output signal; applying a period of cooling down until the temperature of the reference pixel and the sensor pixel are substantially the same; generating the output signal indicative of the IR radiation, based on the difference between the sensor and the reference output signal, by converting this difference using the responsivity.

A semiconductor circuit (200) comprising an input block having a first chopper (CH1) providing a chopped voltage signal (Vin_ch), a first transconductance (G1) converting said chopped voltage signal into a chopped current signal (I_ch), a second chopper (CH2) providing a demodulated current signal (I_demod), a current integrator (CI1) having an integrating capacitor (Cint) providing a continuous-time signal (Vct), a first feedback path comprising: a sample-and-hold block and a first feedback block (G2), the first feedback path providing a proportional feedback signal (Vfb, Ifb) upstream of the current integrator (CI1). The amplification factor is at least 2. Charge stored on the integrating capacitor (Cint) at the beginning of a sample period is linearly removed during one single sampling period (Ts). Each chopper operates at a chopping frequency (fc). The sample-and-hold-block operates at a sampling frequency (fs) equal to an integer (N) times the chopping frequency (fc).

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The present invention relates to a circuit (24) for receiving and processing a bit stream (34) obtained from an electronic communication bus-system (20). The circuit comprises a bit stream processing unit (5) for synchronization and bit sampling of the bit stream (34) to provide a sampled output signal (52). The circuit comprises a frame decoding unit (6) for decoding a data frame encoded in the sampled output signal (52). The circuit comprises a clock signal generator (19) for generating a first clock signal (32) for the bit stream processing unit (5). The circuit comprises a clock signal downsampler (51) for generating a second clock signal (60) having a lower frequency than the first clock signal, in which the second clock signal (60) is based on a cooccurrence of a clock pulse in the first clock signal (32) and the emission of a bit in the sampled output signal. The second clock signal is provided to the frame decoding unit (6). The bit stream processing unit (5) is adapted for synchronizing the first clock signal (32) to an external protocol timing of the incoming bit stream.

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Stromsensoren, die ein in der IC Technologie hergestelltes Kunststoffgehäuse haben. Die zentralen Schritte bestehen darin, Halbleiterchips mit Hallsensoren auf einem Leadframe zu montieren und zu verdrahten, das Leadframe in einer Spritzgussform zu platzieren, die Spritzgussform mit einem ersten Formeinsatz zu schliessen und Kunststoffmaterial einzuspritzen, wobei jeder Halbleiterchip in einem Zwischengehäuse (10) verpackt wird, das eine ebene Fläche (11) mit Alignierungsstrukturen aufweist. Anschliessend wird die Spritzgussform geöffnet und auf der ebenen Fläche (11) eines jeden Zwischengehäuses (10) ein Stromleiterabschnitt (15) platziert, der mit zu den Alignierungsstrukturen passenden Gegenstrukturen (14) ausgebildet ist, so dass er automatisch ausgerichtet und gehalten wird. Dann wird die Spritzgussform mit einem zweiten Formeinsatz geschlossen und Kunststoffmaterial eingespritzt, um das finale Gehäuse der Stromsensoren zu bilden. Es können auch zwei verschiedene Spritzgussformen verwendet werden.

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