Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Patente
🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.392 gesamt| Patent | |||
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17.06.2015
Form für die UV-unterstützte Nano-Prägelithographie, und Herstellungsverfahren einer solchen Form
Optik & Fototechnik
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17.06.2015
Verfahren zur Identifizierung der fehlerhaften Messachsen eines dreiachsigen Sensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 10.10.2012
Erteilt am 17.06.2015
Vertretung
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17.06.2015
Oberflächenbearbeitung einer Schicht aus einem Fluoriertem Material zu dessen Hydrophilisierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.08.2013
Anhängig
Vertretung
Noel, Chantal Odile · Paris
Gevers & Orès · Paris La Défense
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17.06.2015
Fotovoltaikzelle und Herstellungsverfahren der Fotovoltaikzelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.06.2015
Method of hermetically sealing a hole with a fuse material
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Status
Angemeldet am 06.12.2013
Anhängig
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11.06.2015
System and method for analyzing a gas
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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11.06.2015
Method and device for retransmitting data in mobile networks
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 20.11.2014
Anhängig
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11.06.2015
Identification of shapes by image correction
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 27.11.2014
Anhängig
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11.06.2015
System for culturing photosynthetic microorganisms with improved yield
Pharma & Biotechnologie
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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Status
Angemeldet am 20.11.2014
Anhängig
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10.06.2015
Verfahren zur Herstellung von dotierten Bereichen in einem Substrat und von Sperrschichtphotozellen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.09.2007
Erteilt am 10.06.2015
Vertretung
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10.06.2015
Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit einem Hohlraum durch Heissisostatisches Pressen
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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10.06.2015
Anordnung zum Formen einer Mischung aus Metallpulver um einen Keramischen Kern
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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10.06.2015
Sterile Einweg-Vorrichtung zum Befüllen von Spritzen mit Radiopharmazeutika und Automatisches System sowie Verfahren zum Befüllen von Spritzen mit Dieser Vorrichtung
Medizintechnik & Gesundheit
Verpackungs- & Fördertechnik
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10.06.2015
Vorrichtung zum Behandeln eines Produktes mittels eines Gepulsten Elektrischen Feldes
Landwirtschaft & Nahrungsmitteltechnik
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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10.06.2015
Verfahren zur Herstellung einer integrierten bildgebenden Vorrichtung mit Vorderseiten-Beleuchtung, die mindestens einen optischen Filter aus Metall umfasst, und entsprechende Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.06.2015
Device for monitoring a temperature parameter with a view to detecting a break in a cold chain
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 20.11.2014
Anhängig
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03.06.2015
Verfahren zur Raum-Zeit-Kodierung für ein Kommunikationssystem mit mehreren Antennen und Welches Ultrabreitbandpulse Verwendet
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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03.06.2015
Verbessertes Verfahren zur Herstellung von dotierten Zonen und/oder Zonen, die eine Spannung unter den Abstandhaltern eines Transistors ausüben
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A method of producing a transistor comprising the steps of: - forming sacrificial zones (114a, 114b) in a semiconductor layer (103), on either side of a channel region of a transistor, - forming on said sacrificial zones (114a, 114b) insulating spacers (118a, 118b) against flanks of the gate of said transistor, - removing said sacrificial zones so as to form cavities (122a, 122b), the cavities extending on either side of said channel region and penetrating under said spacers (118a, 118b), - forming doped semiconductor material (123) in said cavities, said semiconductor material penetrating under said spacers (118a, 118b). |
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03.06.2015
Pulsierendes Aufladeverfahren einer Batterie in einem autonomen System, das einen Superkondensator umfasst
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.06.2015
Magnetwirbel-Speicheranordnung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 22.04.2010
Erteilt am 03.06.2015
Vertretung
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03.06.2015
Verfahren zur Markierung eines Metallsubstrats zur Aufnahme Anorganischer Lumineszierender Teilchen
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 17.07.2013
Anhängig
Vertretung
Ipsilon · Bourg-la-Reine
Cabinet Laurent & Charras · Dardilly
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03.06.2015
Verfahren zum Aufbringen eines Bildes, und entsprechende Unterlage
Optik & Fototechnik
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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03.06.2015
Verbessertes Verfahren zur Metallisierung eines porösen Materials
Metallurgie & Oberflächentechnik
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03.06.2015
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Targets für die Emission von Photonenstrahlung, insbesondere Röntgenstrahlung oder Partikeln, insbesondere Protonen oder Elektronen, durch Laserbeschuss
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.02.2014
Erteilt am 03.06.2015
Vertretung
Ipsilon · Bourg-la-Reine
Cabinet Laurent & Charras · Dardilly
Zusammenfassung
The method involves injecting gas of filling material into an enclosure (12), and maintaining temperature of a support (28) and pressure in the enclosure at values keeping plugs solid in openings (30) of the support. A protection element (34) i.e. solid plate, is withdrawn from a surface of the support to expose the surface. A material layer e.g. metal layer and dihydrogen or deuterium layer, is formed on the surface of the support and the plugs filling the openings. Conditions of pressure in the enclosure and support temperature are modified to clear the support openings of the plugs. The filling material is selected from argon, nitrogen, krypton or xenon. An independent claim is also included for a system for implementing a method for manufacturing a target for generation of radiation of photons. |
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03.06.2015
Magneto-optische Ober-Fläche
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.09.2013
Erteilt am 03.06.2015
Vertretung
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03.06.2015
Integrierte Funkantenne mit Windungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.05.2015
Electrochemical Cell Including A Hollow Tubular Gas Electrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.11.2014
Anhängig
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27.05.2015
Uran-Chelatisierende Peptide und deren Verwendung
Organische Chemie
Pharma & Biotechnologie
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Status
Angemeldet am 01.07.2004
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
Vialle-Presles, Marie José · Paris
Gevers & Orès · Paris La Défense
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27.05.2015
Verfahren zur Überprüfung einer Person mit Verdacht auf Prädisposition für Lungenkrebs
Pharma & Biotechnologie
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Status
Angemeldet am 12.12.2007
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
Ahner, Francis · Paris
Regimbeau · Rennes
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27.05.2015
Herstellungsverfahren eines unebenen mikroelektronischen Bauelementes
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.05.2015
Verfahren zur Ablation einer Dreidimensionalen Oberfläche unter Verwendung einer Laserablationsvorrichtung und durch die Verwendung eines Kalibirerungsschritts, Vorrichtung zur Implementierung Solch eines Verfahrens
Verfahrens- & Trenntechnik
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 22.12.2010
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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27.05.2015
Gaskompressionssystem
Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
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Status
Angemeldet am 28.10.2011
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
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27.05.2015
Verfahren und Gerät zur Schätzung der Impulsantwort eines Kabelnetzwerks unter Verwendung von Halbblinder Entfaltung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 15.12.2011
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
Delaval, Guillaume Laurent · Créteil
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27.05.2015
Mechanisch Stabile Vorrichtung auf Basis von Nano-/mikrodrähten und mit Verbesserten Optischen Eigenschaften sowie Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.03.2012
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
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27.05.2015
Verfahren zum Wachstum von Metallischen Partikeln mittels Galvanisieren mit in Situ Inhibitionsphase
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.05.2015
Metallidichtung mit Keramischem Kern
Maschinenelemente & Fluidtechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.05.2015
Batteriezellensystem mit Vereinfachter Überwachung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.06.2012
Erteilt am 27.05.2015
Vertretung
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27.05.2015
Verfahren zum Verwalten der Konfiguration eines Telekommunikationsnetzwerks
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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27.05.2015
Verfahren zur Herstellung einer Einkristallschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.07.2013
Anhängig
Vertretung
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27.05.2015
Verfahren zur Herstellung einer Chromatographieanreicherungssäule
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 02.07.2013
Anhängig
Vertretung
Noel, Chantal Odile · Paris
Gevers & Orès · Paris La Défense
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Wer vertritt Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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