Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

La présente invention se rapporte à un procédé pour la préparation d'un complexe de transfert de charge polymérique comprenant au moins les étapes A) et B) consistant à :- A) mettre en contact, dans un milieu solvant et en présence d'une base de métal alcalino-terreux et/ou de métal de transition, un composé halogéné choisi parmi le chloranil, le fluoranil, le bromanil, le iodanil, avec au moins un composé de formule (III) : NC-R^b-CN (III),pour former un sel de formule (I)puis- B) mettre en contact ledit sel avec un moins un polymère donneur d'électrons pour former un complexe de transfert de charge polymérique.

L'invention concerne un dispositif de roulement configuré pour être monté sur un support (20), le dispositif comportant : - un roulement mécanique (60) comportant une première et une deuxième bague (62, 64, 162, 164) opposées et rotatives entre elles, la première bague (62, 64, 162, 164) étant configurée pour être fixe en rotation par rapport à un support (20), - au moins un transducteur piézoélectrique (70) monté fixe par rapport à la première bague (62, 64, 162, 164), configuré pour s'étendre entre la première bague (62, 64, 162, 164) et le support (20) et configuré pour générer un signal lorsqu'il subit une contrainte selon un axe (M), - une unité de mesure électronique (92) configurée pour recevoir le signal généré par le transducteur piézoélectrique (70) et en déduire au moins une information sur la contrainte selon l'axe (M) s'appliquant entre la première bague (62, 64, 162, 164) et le support (20).

Réalisation d'un dispositif à régions semi-conductrices contraintes (12a, 12b, 12c, 120b, 120c, 220a, 220d) comprenant :a) revêtir une couche semi-conductrice (12) d'un substrat de type semiconducteur sur isolant, d'une couche (30) de mise en contrainte en un matériau amorphe ayant une contrainte intrinsèque en tension, puisb) former dans la couche (30) de mise en contrainte, au moins une ouverture (33 ; 233₁, 233₂) en regard d'une première région semi-conductrice (12a ; 220a, 220d) de ladite couche semi-conductrice puis,c) effectuer un recuit de fluage selon une durée et une température adaptées pour permettre le fluage de la couche isolante (11) du substrat et mettre sous tension la première région semi-conductrice.

L'invention concerne un dispositif microélectronique comprenant une isolation entre une première région (1000a) et une deuxième région (1000b). Le dispositif comprend un empilement (1) comprenant un substrat semiconducteur (10), une couche d'oxyde enterré (20), et une couche mince (30). L'empilement (1) comprend une première région (1000a) et une deuxième région (2000b) séparées par une zone d'isolation (1000). La zone d'isolation (1000) comprend un espaceur (200) isolant s'étendant sur des flancs internes (1a, 1b) de l'empilement (1), une couche épitaxiée (300) s'étendant entre les flancs internes (1a, 1b) de l'empilement (1), une couche séparatrice (400) isolante, s'étendant sur la couche épitaxiée (300), et un motif électriquement conducteur (500) s'étendant sur la couche séparatrice (400).

La divulgation concerne un procédé de fabrication d'une jonction Josephson comprenant :- une fourniture d'un substrat (S),- une formation d'une première couche supraconductrice (21),- une formation d'une couche barrière (30a),- une structuration de la couche barrière (30a) pour former un motif fermé (31) et un motif ouvert (32a),- une formation d'une deuxième couche supraconductrice (22),- une gravure de la deuxième couche supraconductrice (22), configurée pour former des vias (221, 222) en s'arrêtant sur la couche barrière (30a) et,- une gravure de la première couche supraconductrice (21) de part et d'autre du motif fermé (31) et du motif ouvert (32a), configurée pour former des lignes (211, 212).

L'invention concerne un résonateur piézoélectrique (10), notamment pour un convertisseur de puissance, comportant : - Une couche piézoélectrique (20), - Deux électrodes conductrices (30, 40) s'étendant de part et d'autre de la couche piézoélectrique (20) de sorte que la couche conductrice (20) soit prise en sandwich entre les deux électrodes conductrices (30, 40), chaque électrode conductrice (30, 40) étant délimitée latéralement par une bordure (35, 45) présentant une épaisseur différente de l'électrode correspondante (30, 40), les bordures (35, 45) des deux électrodes (30, 40) étant sensiblement symétriques l'une par rapport à l'autre par rapport à un plan médian M s'étendant au milieu de l'épaisseur e<piezo> de la couche piézoélectrique (20).

L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant : • un transistor (1), • une interconnexion (I) connectant la source (12), comprenant : une ligne (212), un via (222), une première portion (32a) d'une couche d'arrêt de gravure (30) intercalée entre le via (222) et la ligne (212), • un élément mémoire (M) connectant le drain (13), comprenant : - une première électrode (E1) comprenant une ligne (211), un via (221), et une deuxième portion (32b) de la couche d'arrêt intercalée entre les deux, - une couche (31) à base d'un matériau diélectrique ou ferroélectrique couvrant la ligne (211) et le via (221), - une deuxième électrode (E2) surmontant la couche (31), • une interconnexion (I) connectant la grille (10), comprenant : une ligne (212), un via (222), et une troisième portion (32c) de la couche d'arrêt intercalée entre les deux.

L'invention concerne un réceptacle pour accueillir un empilement de plaquettes de dispositif(s) microélectronique(s) ou de cellule(s) solaire(s), comportant un support de fond (22) sur lequel une ou plusieurs plaquettes sont destinées à être empilées et un ou plusieurs montants (23, 24) reliés audit support de fond (22), lesdits un ou plusieurs montants (23, 24) s'étendant selon une première direction sensiblement perpendiculaire à un plan principal du support de fond (22) et étant répartis en périphérie du support de fond (22) pour délimiter une zone de réception des plaquettes et guider les plaquettes. Un montant donné parmi lesdits montants du réceptacle comporte un conduit de gaz (45, 46) apte à être raccordé à une source d'alimentation en gaz, en particulier de l'air sous pression, et une buse de soufflage (31, 32, 34) configurée pour diriger un flux de gaz émanant dudit conduit vers la zone de réception.

Le procédé comprend les étapes de :a) fourniture de l'ensemble de multicouches comportant une pluralité d'empilements laminés, chacun des empilements laminés comprenant:- un support comportant du silicium cristallin,- des éléments métalliques,- une première couche d'encapsulation,- une seconde couche d'encapsulation,b) application d'un traitement hydrothermal à l'ensemble de multicouches comprenant le placement de la pluralité d'empilements laminés dans une solution aqueuse et l'application d'une chauffe en vue d'amorcer une séparation entre le support et les éléments métalliques,c) application d'un traitement ultrasonore de sorte à finaliser la séparation entre le support et les éléments métalliques récupérer les éléments métalliques.

Le procédé comprend les étapes suivantes :a) fourniture d'un mélange homogène (1) comprenant au moins un matériau électrochimiquement actif et une solution aqueuse, le mélange homogène (1) étant destiné, après séchage, à former une matière active poreuse poreux (7) pour électrode,b) mise en forme du mélange homogène (1) par colaminage entre un collecteur de courant (4) et un film microporeux (5) de sorte à former un ensemble tricouche (6) comprenant le mélange homogène (1) laminé sous forme d'une bande, dont une première face est assemblée au collecteur de courant (4) et dont une seconde face opposée est assemblée au film microporeux (5), le colaminage réduisant en partie la quantité de solution aqueuse présente dans le mélange homogène (1),c) séchage de l'ensemble tricouche (6) de sorte à évaporer la solution aqueuse résiduelle et obtenir assemblage actif (100) comprenant une bande (9) de matière active poreuse poreux (7) entre le collecteur de courant (4) et le film microporeux (5).