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Freescale Semiconductor Patente

🇺🇸 USA

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.413
Patente
2000–2016
Anmeldejahre
17
Aktive Jahre

Patente nach Anmeldejahr

Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.

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2.413 gesamt
Patent
12.12.2001
Laterale Halbleiteranordnung mit niedrigem Einschaltwiderstand und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
07.11.2001
Datenzuweisung in Mehrträgersystemen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
19.09.2001
Verfahren zum Ätzen einer isolierenden Schicht und zum Herstellen eines Halbleiterelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
29.08.2001
Kontaktlithographie unter Einsatz einer Schicht mit niedriger Oberflächenenergie
Optik & Fototechnik
04.07.2001
Verfahren zur Plattierung einer Schicht auf einer Halbleitervorrichtung
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
20.06.2001
In-circuit Speichermatrix-Bitzelle zum Schwellwertspannungsverteilungmessen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
13.06.2001
Vorrichtung und Ausleseverfahren für magnetische multibit Stapeltunneldiodenspeicherzelle
Akustik, Musik & Datenspeicherung
30.05.2001
Prozessoreinheit mit integrierten MRAMS mit je zwei Leseanschlüssen
Akustik, Musik & Datenspeicherung
02.05.2001
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung mit einer Silizium-Metalloxid Zwischenschicht
Metallurgie & Oberflächentechnik
02.05.2001
Verpackung für elektronisches Bauteil mit Waferdeckel
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
14.03.2001
Verfahren zur Löschung von Speicherinhalt und zugehöriger Speicher
Akustik, Musik & Datenspeicherung
11.10.2000
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einem Übergangsbereich bestehend aus einer einzelnen Atomschicht aus einem Erdalkalimetall, Silizium und Sauerstoff zwischen einem Siliziumsubstrat und einer monokristallinen Oxidschicht
Metallurgie & Oberflächentechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
27.09.2000
Integrierte Speicherschaltung mit Sicherungsdetektorschaltung und Verfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung

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