Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Patente
🇨🇳 China
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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24.11.2011
Semiconductor structure and method for manufacturing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.02.2011
Anhängig
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24.11.2011
Semiconductor junction type diode device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 27.02.2011
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17.11.2011
Contact hole, semiconductor device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.02.2011
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10.11.2011
Flash memory device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 26.09.2010
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03.11.2011
Flash memory device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 19.09.2010
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03.11.2011
Semicondcutor structure and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 19.09.2010
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03.11.2011
Semiconductor device and fabrication method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.02.2011
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27.10.2011
Method of etching mo-based metal gate stacked strecture based aluminum nitride barrier layer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.09.2010
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27.10.2011
Memory device and fabrication method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.09.2010
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27.10.2011
Semiconductor device structure and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 27.09.2010
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27.10.2011
Source and drain regions, contact holes and fabrication methods thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 18.02.2011
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20.10.2011
Semiconductor device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.09.2010
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20.10.2011
The method of fabricating the semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 28.09.2010
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13.10.2011
Manufacturing method for structure of metal gate/ high k gate dielectric stack layer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.09.2010
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13.10.2011
Semiconductor device and method for manufacturing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 16.09.2010
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13.10.2011
Semiconductor structure and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 19.09.2010
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13.10.2011
Semiconductor device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 16.09.2010
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13.10.2011
Semiconductor device and method for fabricating the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 28.09.2010
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13.10.2011
High speed transistor structure and method for fabricating the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 26.09.2010
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13.10.2011
Manufacturing method of semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 26.09.2010
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13.10.2011
Gate stack structure, semiconductor device, and methods for manufacturing them
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.04.2011
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22.09.2011
Semiconductor device and fabrication method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 27.09.2010
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22.09.2011
Semiconductor device and method of manufacturing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.09.2010
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09.09.2011
Method for forming channel materials
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.09.2010
Anhängig
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18.08.2011
Capacitor structure and method for producing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.09.2010
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18.08.2011
Fin-type transistor structure and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 20.09.2010
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18.08.2011
Structure of body contact device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.09.2010
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07.07.2011
Method for producing nmosfet with improved carrier mobility
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 21.06.2010
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07.07.2011
Semiconductor device and method of manufacturing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.06.2010
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07.07.2011
Semiconductor device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 28.06.2010
Anhängig
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07.07.2011
Fin transistor structure and fabrication method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.06.2010
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07.07.2011
Semiconductor device and method for producing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.06.2010
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07.07.2011
Transistor and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 28.06.2010
Anhängig
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07.07.2011
Field effect transistor device with improved carrier mobility and method for fabricating the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 22.06.2010
Anhängig
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07.07.2011
Mosfet structure and the manufactring method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.06.2010
Anhängig
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30.06.2011
Semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 23.06.2010
Anhängig
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30.06.2011
High performance semiconductor device and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.06.2010
Anhängig
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30.06.2011
Semiconductor structure with channel stress layer and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 24.06.2010
Anhängig
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30.06.2011
A manufaturing method of body silicon enclosed gate mosfet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.06.2010
Anhängig
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23.06.2011
Finfet structure and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 25.06.2010
Anhängig
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Wer vertritt Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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