Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Patente
🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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266 gesamt| Patent | |||
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18.10.2017
Spannsystem, Maschine zum Drahtbonden und Verfahren zum Bonden von Drähten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.10.2017
Schreibvorgangsnachverfolgungsschaltung für Speicher
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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11.10.2017
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.10.2017
Halbleiterstrukturen für Hochfrequenzbauelemente und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.10.2017
Halbleiterspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.10.2017
Kristalloszillatorschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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04.10.2017
Ladungspumpenspannungsregler
Elektrische Energietechnik
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04.10.2017
Verfahren zur Herstellung einer Finfet-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.10.2017
Verfahren und System zur Vorhersage der Hochtemperaturbetriebsdauer von Sram-Vorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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13.09.2017
Resonator und Zugehöriges Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.09.2017
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.09.2017
Flash-Speicher-Struktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.08.2017
Signalempfänger, Zugehöriges Verfahren und Zugehörige Elektronische Vorrichtung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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23.08.2017
Kontaktdurchgangsstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.08.2017
Verfahren zur Verbesserung der Ge-Kanal-Grenzflächenschichtqualität für Cmos-Finfet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Verfahren zur Verbesserung der Vorrichtungsleistung für Finfet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Verfahren zur Hochspannungsvorrichtungsherstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Asar-Analog-Digital-Wandler-Schaltung und Umwandlungsverfahren dafür
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.08.2017
Verfahren und Struktur für Finfet-Ram
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Schutzvorrichtung gegen Elektrostatische Entladungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.08.2017
Statischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.08.2017
Verfahren und Vorrichtung für Metallgatestapel
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.08.2017
High-K-Metall-Gate-Transistorstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.08.2017
Halbleiterbauelement mit Lokalem Interconnect und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.08.2017
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Metallschicht durch Wärmedrahtunterstützte Reinigung und Atomschichtablagerung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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19.07.2017
Rippen-Feldeffekttransistor und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present invention provides fin field-effect transistors and fabrication methods thereof. An exemplary fabrication process includes providing a substrate having a first region and a second region; forming first fins in the first region and second fins in the second region; forming a liner oxide layer on side surfaces of the first fins, the second fins and a surface of the substrate; forming an insulating barrier layer on the liner oxide layer in the first region; forming a precursor material layer on the insulating barrier layer in the first region and on the liner oxide layer in the second region; performing a curing annealing process to convert the precursor material into an insulation layer; and removing a top portion of the insulation layer to form an isolating layer and removing portions of the liner oxide layer, the insulating barrier layer, the first oxide layer and the second oxide layer. |
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19.07.2017
Halbleiterbauelement und Zugehöriges Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.07.2017
Verfahren zur Herstellung einer Eeprom-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.07.2017
Verfahren zur Verbesserung der Gate-Dielektrikum-Qualität für Finfet
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2017
Verfahren zur Herstellung einer Speichervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2017
Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2017
Elektromechanische Vorrichtung, Zugehöriges Herstellungsverfahren und Zugehörige Elektronische Vorrichtung
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12.07.2017
Schutzstruktur gegen Elektrostatische Entladungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2017
Halbleiterstruktur und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.07.2017
Pmos-Transistoren und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.07.2017
Fin-Fet-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.07.2017
Metall-Gate-Transistor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.07.2017
Mosfet mit Vergrabenem Kanl und Oberflächenkanal-Mosfet Desselben Typs und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.06.2017
Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung des Finfet-Selbstaufwärmungseffekts
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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