Fairchild Semiconductor Patente
🇺🇸 USA
Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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275 gesamt| Patent | |||
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05.06.2024
Vorrichtung entsprechend Randabschlussregionen eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.03.2014
Erteilt am 05.06.2024
Vertretung
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29.07.2020
Geformtes Halbleitergehäuse mit Kapazitiven und Induktiven Komponenten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.04.2014
Anhängig
Vertretung
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10.06.2020
Front-end-Ladungsverstärker einer MEMS-Vorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2013
Erteilt am 10.06.2020
Vertretung
Zusammenfassung
This document discusses, among other things, apparatus and methods for a front-end charge amplifier. In certain examples, a front-end charge amplifier for a microelectromechanical system (MEMS) device can include a charge amplifier configured to couple to the MEMS device and to provide sense information of a proof mass of the MEMS device, a feedback circuit configured to receive the sense information and to provide feedback to an input of the charge amplifier, and wherein the charge amplifier includes a transfer function having a first pole at a first frequency, a second pole at a second frequency, and one zero at a third frequency. |
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27.05.2020
Superjunction-Strukturen für Elektrische Vorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.04.2012
Erteilt am 27.05.2020
Vertretung
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27.05.2020
Verfahren und Vorrichtung mit einem Strombegrenzer
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 14.03.2014
Erteilt am 27.05.2020
Vertretung
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13.05.2020
Mikromechanisch Hergestellte Trägheitssensorvorrichtungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.08.2010
Erteilt am 13.05.2020
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11.03.2020
Mems-Treiber
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2013
Erteilt am 11.03.2020
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11.12.2019
MEMS-Quadratur-Abbruch und Signaldemodulation
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2013
Erteilt am 11.12.2019
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20.03.2019
Halbleitergehäuse und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.06.2017
Anhängig
Vertretung
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19.12.2018
Mikroverarbeiteter Monolithischer Inertialsensor mit Sechs Achsen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.09.2011
Erteilt am 19.12.2018
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19.12.2018
MEMS-Vorrichtung mit Quadraturphasenverschiebungsauslöschung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2013
Erteilt am 19.12.2018
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16.05.2018
Verpackung zur Reduzierung der auf Mikroelektromechanische Systeme Einwirkenden Belastung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.09.2011
Erteilt am 16.05.2018
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02.05.2018
Selbsttest eines Mems-Gyroskops mit Asics-Integrierten Kondensatoren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2013
Anhängig
Vertretung
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29.11.2017
Selbsttest eines MEMS-Gyroskops mit integrierten ASIC-Kondensatoren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2013
Erteilt am 29.11.2017
Vertretung
Zusammenfassung
An apparatus includes a MEMS gyroscope sensor including a first sensing capacitor and a second sensing capacitor and an IC. The IC includes a switch circuit configured to electrically decouple the first sensing capacitor from a first input of the IC and electrically couple the second sensing capacitor to a second input of the IC, and a capacitance measurement circuit configured to measure capacitance of the second sensing capacitor of the MEMS gyroscope sensor during application of a first electrical signal to the decoupled first capacitive element. |
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15.11.2017
Automatische Verstärkungsregelungsschleife einer MEMS-Vorrichtung für mechanischen Amplitudenantrieb
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.04.2013
Erteilt am 15.11.2017
Vertretung
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27.09.2017
Bipolartransistor mit Abstandhalterschicht und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.01.2012
Erteilt am 27.09.2017
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12.07.2017
MEMS-Treiber
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 12.04.2013
Erteilt am 12.07.2017
Vertretung
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05.04.2017
Mehrchip-Mems-Verpackung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.09.2011
Erteilt am 05.04.2017
Vertretung
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15.03.2017
Genauer Neunzig-Grad-Phasenschieber
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2013
Erteilt am 15.03.2017
Vertretung
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24.11.2016
Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.05.2016
Anhängig
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02.11.2016
Mikroelektromechanischer Drucksensor mit einem Bezugskondensator
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 20.09.2011
Erteilt am 02.11.2016
Vertretung
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10.08.2016
Verfahren zur Rauschunterdrückung für MEMS-Sensoren mit Zerhackerschaltungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2013
Erteilt am 10.08.2016
Vertretung
Zusammenfassung
An apparatus includes a capacitance-to-voltage converter circuit configured to be electrically coupled to a micro-electromechanical system (MEMS) sensor circuit. The capacitance-to-voltage converter circuit includes a differential chopping circuit path configured to receive a differential MEMS sensor output signal and invert a polarity of the differential chopping circuit path, and a differential sigma-delta analog to digital converter (ADC) circuit configured to sample the differential MEMS sensor output signal and provide a digital signal representative of a change in capacitance of the MEMS sensor. |
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22.06.2016
Mikroverarbeitetes Monolithisches 3-Achsen-Gyroskop mit Einzelantrieb
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.09.2011
Erteilt am 22.06.2016
Vertretung
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15.07.2015
Halbleiterbauelement mit kapazitiven und induktiven Elementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.04.2014
Anhängig
Vertretung
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15.07.2015
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Formung einer Treppenstruktur in einem Zielsubstrat zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.03.2011
Erteilt am 15.07.2015
Vertretung
Badel, Xavier Claude Yves · Stockholm
AWA Sweden AB · Stockholm
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01.07.2015
Mikroverarbeiteter 3-Achsen-Beschleunigungssensor mit einer Einzelnen Definierten Masse
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.09.2011
Erteilt am 01.07.2015
Vertretung
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18.06.2015
Integrated wire bonder and 3d measurement system with defect rejection
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.10.2014
Anhängig
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11.06.2015
Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.12.2014
Anhängig
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10.09.2014
Selbsttest eines MEMS-Beschleunigungsmessers mit integrierten ASIC-Kondensatoren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 03.04.2013
Erteilt am 10.09.2014
Vertretung
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02.07.2014
MOS-gesteuerte Leistungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.05.2000
Erteilt am 02.07.2014
Vertretung
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13.03.2014
Wireless Module
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.09.2013
Anhängig
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06.03.2014
Ultra Low Ripple Boost Converter
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 30.08.2013
Anhängig
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10.10.2013
Sic bipolar junction transistor with reduced carrier lifetime in collector and a defect termination layer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.04.2012
Anhängig
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28.08.2013
Mos-Gate-Transistor mit Verringerter Miller-Kapazität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.10.2005
Erteilt am 28.08.2013
Vertretung
Thul, Stephan · München
Müller-Boré & Partner Patentanwälte · München
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08.08.2013
Mems Multi-Axis Gyroscope Z-Axis Electrode Structure
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 31.01.2013
Anhängig
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08.08.2013
Mems Multi-Axis Accelerometer Electrode Structure
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 30.01.2013
Anhängig
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08.08.2013
Mems proof mass with split z-axis portions
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 14.01.2013
Anhängig
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08.08.2013
Mems multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 31.01.2013
Anhängig
Zusammenfassung
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31.07.2013
Siliciumdurchgang mit Reduzierter Querkapazität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.07.2013
Schaltkreis zur Einstellung des Modus eines Inertialsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Wer vertritt Fairchild Semiconductor?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Fairchild Semiconductor vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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