Hitachi Energy Switzerland Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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1.042 gesamt| Patent | |||
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24.07.2024
Bauelement und Verfahren zur Herstellung von Isolierenden Abstandshaltern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.04.2020
Erteilt am 24.07.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
A component for manufacturing an insulating spacer for electromagnetic induction apparatuses. Said component is formed by a body of plastic material having opposite first and second surfaces, opposite first and second sides and opposite third and fourth sides, a first distance between said first and second surfaces.At least one of said first and second sides comprises coupling means for coupling with complementary coupling means of a further component for manufacturing said insulating spacer. |
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17.07.2024
Halbleiteranordnung, Elektrische Leistungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.05.2021
Erteilt am 17.07.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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17.07.2024
Leistungsschalter mit Interner Einschwingspannungskondensatoranordnung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.12.2019
Erteilt am 17.07.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
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17.07.2024
Verfahren und Vorrichtung zur Schätzung von Quellenimpedanzen über eine oder Mehrere Übertragungsleitungen Hinweg
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 04.12.2020
Erteilt am 17.07.2024
Vertretung
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17.07.2024
Leistungshalbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.08.2021
Erteilt am 17.07.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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10.07.2024
Sondierung eines Stromnetzes mit Geringen Auswirkungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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03.07.2024
Verfahren zum Messen einer Flüssigkeitsmenge in einem Flüssigkeitsisolierten Elektrischen Bauteil, Flüssigkeitsisoliertes Elektrisches Bauteil und Schienenfahrzeug damit
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 29.05.2019
Erteilt am 03.07.2024
Vertretung
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03.07.2024
Leistungshalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2021
Erteilt am 03.07.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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03.07.2024
Leistungshalbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2021
Erteilt am 03.07.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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26.06.2024
Frei Konfigurierbares Leistungshalbleitermodul
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 28.01.2021
Erteilt am 26.06.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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26.06.2024
Verfahren und Vorrichtung für die Zuweisung von Ressourcen in einem Drahtlosen Kommunikationssystem
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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19.06.2024
Verfahren und Leiterstruktur zur Herstellung einer Elektrischen Wicklung eines Elektromagnetischen Induktionsgerätes
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.01.2020
Erteilt am 19.06.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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19.06.2024
Gate-Kommutierte Thyristorthyristorzelle mit einer Base Region mit Variabele Dicke
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.03.2021
Erteilt am 19.06.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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19.06.2024
Transformatoranordnung und Verfahren zur Elektrischen Verbindung und Trennung eines Transformators
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.06.2024
Transformatorkühlsystem und Transformatoranlage
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2019
Erteilt am 12.06.2024
Vertretung
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05.06.2024
Verriegelungsanordnung für Elektrische Modulkarten, Gehäuse und Elektrische Vorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.06.2024
Verkapselte Schaltanlage
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.09.2009
Erteilt am 05.06.2024
Vertretung
Schaad, Balass, Menzl & Partner AG · Zürich
ABB Patent Attorneys · Baden
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05.06.2024
Halterung zur Befestigung einer Zubehörausrüstungsanordnung an einem Sockel einer Buchse, Zugehöriges Zubehörausrüstungsmodul und Buchse
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2020
Erteilt am 05.06.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
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29.05.2024
Isoliermaterial für eine Elektrische Gleichstromkomponente
Kunststoff- & Polymertechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.04.2017
Erteilt am 29.05.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
Zimmermann & Partner Patentanwälte mbB · München
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29.05.2024
Dielektrische Schicht und Leistungskondensator mit Dielektrischer Schicht
Verfahrens- & Trenntechnik
Kunststoff- & Polymertechnik
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Status
Angemeldet am 09.10.2017
Erteilt am 29.05.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
Zusammenfassung
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22.05.2024
Transistor, Leistungselektronische Schaltvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Transistors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.02.2022
Erteilt am 22.05.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
The present invention relates to a transistor (10), in particular a wide bandgap semiconductor power transistor (40), comprising an epitaxial layer (11) of a first conductivity type, at least one well region (13) of a second conductivity type formed in a selected area of the epitaxial layer (11), at least one terminal region, in particular a source region (29), of the first conductivity type formed in or adjacent to the at least one well region (13), at least one terminal electrode (15), in particular a source electrode (21), formed at least partly on a surface (12) of a first part of the at least one terminal region (14), and at least one resistive region (16) formed within the at least one terminal region (14), the at least one resistive region (16) comprising amphoteric impurities. The present invention further relates to a power electronic switching device comprising a plurality of switching cells and a method for manufacturing a transistor (10), in particular a wide bandgap semiconductor power transistor (40) . |
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22.05.2024
Zeitgeschlitzte Planung von Paketen in einem Industriellen Drahtlosen Netzwerk
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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22.05.2024
Schutz eines Überspannungsableiters mit Verbessertem Schutz gegen Ausfälle durch Thermische Überlastung im Fall einer Vorübergehenden Überspannung in einer Stromnetzleitung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.08.2017
Erteilt am 22.05.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
ABB Patent Attorneys · Baden
Zusammenfassung
This disclosure concerns a method for preventing an electrical grid from a failure in case of a temporary overvoltage. The method comprising the following steps: a) providing an electrical grid line (139), a surge arrester (140) and a disconnector device (10, 100) with a disconnector unit (25); b) connecting the surge arrester at one terminal to the electrical grid line (139); c) connecting the surge arrester at its other terminal to a second terminal of the disconnector device; d) connecting a first terminal (30) of the disconnector device to ground potential (37); e) interrupting the electrical connection in between the electrical grid line (139) and the ground potential (37) in case of a temporary overvoltage; f) protecting the surge arrester from failure due to a thermal overload caused by the temporary overvoltages by operating the disconnector device (10, 100) before the surge arrester fails due to a thermal overload of the surge arrester (140). |
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15.05.2024
Halbleiterbauelement, Halbleitermodul und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.01.2022
Erteilt am 15.05.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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15.05.2024
Bidirektionale Thyristorvorrichtung mit Asymmetrischen Eigenschaften
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.11.2020
Erteilt am 15.05.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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08.05.2024
Hochspannungssäulenstromwandler
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.03.2022
Erteilt am 08.05.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
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01.05.2024
Dielektrisches Isoliermedium
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.06.2009
Erteilt am 01.05.2024
Vertretung
Schaad, Balass, Menzl & Partner AG · Zürich
ABB Patent Attorneys · Baden
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01.05.2024
Verfahren zur Steuerung eines Mikronetzes, Energiemanagementsystem, und Mikronetz
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 22.02.2019
Erteilt am 01.05.2024
Vertretung
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01.05.2024
Abschirmung eines Hochspannungsgeräts
Elektronik & Schaltungstechnik
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24.04.2024
System zum Schutz von Trockentransformatoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 19.11.2015
Erteilt am 24.04.2024
Vertretung
Savela, Reino Aleksi · Västerås
Valea AB · Göteborg
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17.04.2024
Verfahren und Leiterstruktur zur Herstellung einer Elektrischen Wicklung einer Elektromagnetischen Induktionsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.12.2019
Erteilt am 17.04.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
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17.04.2024
Magnetkernanordnung, Induktive Vorrichtung und Installationsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.10.2019
Erteilt am 17.04.2024
Vertretung
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17.04.2024
Statisches Elektrisches Induktionssystem und Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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17.04.2024
Zelle mit einer Leistungsverbindung mit Variabler Induktivität
Elektrische Energietechnik
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10.04.2024
Mehrfachanschluss-Gitterformungssteuerung für Gitterverbindungen
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 17.04.2020
Erteilt am 10.04.2024
Vertretung
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10.04.2024
Systeme und Verfahren zur Analyse von Gelöstem Gas
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.02.2021
Erteilt am 10.04.2024
Vertretung
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10.04.2024
Trennschalter und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.08.2016
Erteilt am 10.04.2024
Vertretung
Michalski Hüttermann & Partner Patentanwälte mbB · Düsseldorf
Zimmermann & Partner Patentanwälte mbB · München
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10.04.2024
Hybrider Strompfad für Leistungsschalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.04.2024
Leistungshalbleitermodul, Verfahren zur Herstellung davon und Elektrischer Wandler
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.12.2020
Erteilt am 10.04.2024
Vertretung
Epping - Hermann - Fischer · München
Zusammenfassung
The disclosure relates to a method for manufacturing a power semiconductor module (34), wherein the power semiconductor module (34) comprises a plurality of power semiconductor devices (10), said method comprising the steps of: a) providing at least one substrate (12) for carrying the plurality of power semiconductor devices (10); and b) placing the plurality of power semiconductor devices (10) on the at least one substrate (12); wherein the method further comprises manufacturing steps as follows: c) measuring, if one or more power semiconductor devices (10) of the plurality of the power semiconductor devices (10) are damaged; d) electrically interconnecting at least a part of the power semiconductor devices (10) comprising at least two power semiconductor devices (10) in a parallel configuration; wherein after the steps c) and d) are realized and in case of one or more power semiconductor devices (10) being a damaged power semiconductor device (10a) the one or more damaged power semiconductor devices (10a) are electrically separated from the non-damaged power semiconductor devices (10b, 10c); and wherein, after the steps c) and d) are realized, at least two of the electrically interconnected power semiconductor devices (10) in the parallel configuration are non-damaged power semiconductor devices (10b, 10c). |
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10.04.2024
Verfahren und System zur Beurteilung des Zustands eines Entlüfters eines Transformatorentlüfters
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 04.05.2020
Erteilt am 10.04.2024
Vertretung
Zusammenfassung
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Wer vertritt Hitachi Energy Switzerland?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Hitachi Energy Switzerland vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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