Power Integrations Patente
🇺🇸 USA
Power Integrations ist ein US-amerikanisches Unternehmen für Halbleiterlösungen in der Leistungselektronik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf elektrische Energietechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik und Schaltungstechnik. Anmeldungen laufen durchgehend seit dem Jahr 2000.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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402 gesamt| Patent | |||
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11.05.2016
Indirekte Regulierung des Ausgangsstroms in einem Stromwandler
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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28.04.2016
Programming controller parameters through external terminals of a power converter
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 22.10.2015
Anhängig
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24.02.2016
Stromversorgungssteuergerät mit Eingangsspannungskompensation für Effizienz und maximale Leistungsausgabe
Elektrische Energietechnik
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17.12.2015
Mosfet driver with pulse timing pattern fault detection and adaptive safe operating area mode of operation
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 31.03.2015
Anhängig
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16.12.2015
Einstufige Stromversorgung mit Stromfaktorkorrektur und konstanter Stromausgabe
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.12.2015
Multi-Auslassmodussteuerung für Verbesserte Led-Treiberleistung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
Various examples directed to phase-dimming LED driver input circuitry having multiple bleeder circuits activated by a controller with multi-bleeder mode control are disclosed. In one example, the input circuitry may include multiple bleeder circuits controlled by the controller in an open-loop or closed-loop configuration. The controller may selectively activate or deactivate the multiple bleeder circuits based on the input line voltage, the dimming state, and the type of dimming being implemented to improve performance of the LED driver by preventing or reducing shimmering/blinking and by reducing bleeder loss. |
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25.11.2015
Hochspannungsfeldeffekttransistor mit isoliertem Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.11.2015
Sperrwandler Pfc mit Groben oder Feinen Regeleingriffen
Elektrische Energietechnik
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28.10.2015
Dimmungsgrenzendetektion für Leistungswandler
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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07.10.2015
Herstellungsverfahren eines vertikalen MOSFETs mit Graben-Gate
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.09.2015
Phasenwinkelmessung einer Dimmerschaltung für ein Schaltnetzteil
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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13.08.2015
Transformer communication system
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 09.02.2015
Anhängig
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15.07.2015
Verfahren und Vorrichtung zur Umwandlung von Wechsel- zu Gleichstrom mit reduziertem Oberschwingungsstrom
Elektrische Energietechnik
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08.04.2015
Techniken zur Steuerung eines Stromwandlers mit mehreren Steuerungen
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 04.03.2014
Anhängig
Vertretung
Schley, Jan Malte · München
Fish & Richardson P.C · München
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18.03.2015
Elektronische Steuereinrichtung mit einem Transistor der einen zusätzlichen Anschluss aufweist
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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25.02.2015
Selbstausgerichtete Graben-Feldeffekttransistoren mit Umgewachsenen Gates und Bipolarsperrschichttransistoren mit Umgewachsenen Basiskontaktregionen und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.02.2015
Wechselspannungssensor mit geringem Stromverbrauch
Elektrische Energietechnik
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25.02.2015
Lastselektiver Eingangsspannungssensor
Elektrische Energietechnik
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15.01.2015
High-Voltage Field-Effect Transistor Having Multiple Implanted Layers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.06.2014
Anhängig
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07.01.2015
Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung der Effektivität in einer Leistungsfaktorverbesserungsschaltung
Elektrische Energietechnik
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24.12.2014
Delta-sigma modulator with high input impedance
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 16.05.2014
Anhängig
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06.11.2014
Usb charging with data communication
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 28.04.2014
Anhängig
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29.10.2014
Vorrichtung zur Steuerung der Eingangsladung einer Stromversorgung
Elektrische Energietechnik
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02.10.2014
Integrated current controller for maintaining holding current of a dimmer circuit
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 11.03.2014
Anhängig
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25.09.2014
Rectifier with indicator switch
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 13.03.2014
Anhängig
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17.09.2014
Lichttreibersteuerungssystem
Elektronik & Schaltungstechnik
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12.09.2014
Power converter using multiple controllers
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2014
Anhängig
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12.09.2014
Low Threshold Voltage Comparator
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 07.03.2014
Anhängig
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10.09.2014
Dimm-Steuergerät für einen Schaltnetzteil
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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03.09.2014
Verfahren und Vorrichtung zum Schalten einer Halbleiterschaltung mit einer Mehrfachzustands-Treiberschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.08.2014
Verpackung für eine Leistungshalbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.07.2014
GaN Hochspannungs-HFET mit Passivierungs- und Gatedielektrikums-Mehrschichtstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A method of fabricating a multi-layer structure for a power transistor device includes exposing, within a reaction chamber, a top surface of a nitride-based active semiconductor layer to a first source, and performing, within the reaction chamber, a nitrogen plasma strike, resulting in the formation of a nitride layer (142) directly on the nitride-based active semiconductor layer. A top surface of the nitride layer is then exposed to a second source. A subsequent nitrogen-oxygen plasma strike results in the formation of an oxy-nitride layer (145) directly on the nitride layer. The nitride layer comprises a passivation layer and the oxy-nitride layer comprises a gate dielectric of the power transistor device. <img class="EMIRef" id="144869947-iaf01" /> |
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16.07.2014
Verfahren und Vorrichtung zur Pulsweitenmodulation
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.07.2014
Verfahren und Vorrichtung zur Reduktion von Audiofrequenzen in einem Schaltnetzteil
Elektrische Energietechnik
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25.06.2014
Dimm-Steuergerät für einen Schaltnetzteil
Elektronik & Schaltungstechnik
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18.06.2014
In-situ-gewachsenes Gate-Dielektrikum und Feldplatten-Dielektrikum
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.05.2014
Vertikaler Hochspannungstransistor mit Siliziumsäulen mit unterschiedlicher Breite
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.04.2014
Verfahren und Vorrichtung zur Einstellung des Verschiebungsstroms in einem Energieübertragungselement
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.03.2014
Sperrwandlernetzteil mit Zwangsprimärregelung
Elektrische Energietechnik
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30.01.2014
Method of forming a tapered oxide
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.07.2013
Anhängig
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Wer vertritt Power Integrations?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Power Integrations vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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