Qorvo US Patente
🇺🇸 USA
Qorvo US ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in North Carolina, spezialisiert auf HF-Bauelemente für Mobilfunk und Netzwerktechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Schaltungstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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418 gesamt| Patent | |||
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09.04.2025
Doherty-Verstärker mit Adaptiver Vorspannung
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.04.2025
Akustischer Resonator mit Kolbenmodus Wie Akrostiche Zips zur Erzeugung einer Akustischen Transformation durch einen Anderen Empfänger Yonder der Neuronalen Empathie
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.04.2025
Sende-Empfänger-Schaltung zum Betrieb in einem Dynamischen Leistungsbereich
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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02.04.2025
System und Verfahren zum Entsperren von Ultrabreitband-Vorrichtungen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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02.04.2025
Multigenerations-Frontend-Modul (fem) mit 2G-Vramp-Fähigkeiten
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.04.2025
Multigenerations-Frontend-Modul (fem)
Elektronik & Schaltungstechnik
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20.03.2025
System and methods for untracked navigation using ultra-wideband devices
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 27.08.2024
Anhängig
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19.03.2025
Mehrfachprotokoll-Busschaltung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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13.03.2025
Wake-up radio using enhancements to burst position modulation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 11.07.2024
Anhängig
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13.03.2025
Aufweckfunk mit Verbesserungen an der Burstpositionsmodulation
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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06.03.2025
Konfliktfreie Stromverteilung in einer Leistungsverwaltungsschaltung
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06.03.2025
Konfliktfreie Stromverteilung in einer Leistungsverwaltungsschaltung
Elektrische Energietechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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05.03.2025
Mit mehreren Konfigurationen Betreibbare Leistungsverwaltungsvorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
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20.02.2025
Applying indicium segments to a semiconductor device package
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.07.2024
Anhängig
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20.02.2025
Chalcogenide Phase-Change Material (pcm) Boosted Rfsoi High-Voltage Rf Switch
Elektronik & Schaltungstechnik
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20.02.2025
Über Chalcogenid-Phasenwechselmaterial (pcm) Verstärkter Rfsoi-Hochspannungs-Hf-Schalter
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.02.2025
Verfahren zur Abstimmung einer Antenne mit einem Dvc
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 19.07.2017
Erteilt am 19.02.2025
Vertretung
Gill Jennings & Every LLP · London
D Young & Co LLP · London
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30.01.2025
Systems and method for smooth transitions in a buck-boost direct current-to-direct current (dc-dc) converter
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 05.06.2024
Anhängig
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16.01.2025
Vorrichtungen, Verfahren und Systeme zur Kombination von Downlink- und Uplink-Zeitdifferenztechniken
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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16.01.2025
Multimillisekundenbereich in Ultrabreitbandsystemen
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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16.01.2025
Multimillisekundenbereich in Ultrabreitbandsystemen
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16.01.2025
Vorrichtungen, Verfahren und Systeme zur Kombination von Downlink- und Uplink-Zeitdifferenztechniken
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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15.01.2025
Bezugsmarken für Laminatstrukturen
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.01.2025
Verfahren zur Ermöglichung eines Doppelseitigen Formmoduls mit Plattierten Kupferpfosten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.01.2025
Kupferpfostendesign auf Laminat für Verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.01.2025
Transistor mit Integrierter Source-Drain-Diode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
Vertical junction field-effect transistors (VJFETs) with integrated source-drain anti-parallel diodes are described. In an embodiment, a trench VJFET with integrated source-drain anti-parallel diodes structure is coupled with a low-voltage metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in a dual gate cascode configuration. |
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01.01.2025
Schlitzplaner für Feine Entfernungsmessung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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01.01.2025
Leistungsverstärker mit Schutzschleife
Elektronik & Schaltungstechnik
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26.12.2024
Temperaturmessung in einer Hochfrequenz-Vorrichtungsgruppe
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26.12.2024
Systeme und Verfahren zur Kompensation des Thermischen Spannungsabfalls für Leistungsverstärker
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26.12.2024
Systeme und Verfahren zur Kompensation des Thermischen Spannungsabfalls für Leistungsverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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26.12.2024
Temperaturmessung in einer Hochfrequenz-Vorrichtungsgruppe
Elektronik & Schaltungstechnik
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18.12.2024
Kaskoden-Leistungsverstärkerschaltungen mit Spannungsschutzschaltungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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18.12.2024
Mems-Vorrichtung mit Verringertem Kontaktwiderstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.05.2020
Erteilt am 18.12.2024
Vertretung
D Young & Co LLP · London
Murgitroyd & Company · Glasgow
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12.12.2024
Inferenzmodell zur Optimierung eines Frontendmoduls (fem) in einer Drahtlosen Kommunikationsvorrichtung
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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11.12.2024
Vorspannungsschaltung für Leistungsverstärker
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.12.2024
Leistungsverstärker mit Analoger Vorverzerrung
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.12.2024
Leistungsverstärker mit Analoger Vorverzerrung
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.12.2024
Kaskoden-Leistungsverstärkerschaltungen mit Spannungsschutzschaltungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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11.12.2024
Steuerung einer Feinbereichsverbindungsschicht
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Wer vertritt Qorvo US?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Qorvo US vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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