Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Patente
🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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266 gesamt| Patent | |||
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27.06.2018
Überlagerungsmessverfahren und -Vorrichtung
Optik & Fototechnik
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27.06.2018
Vorrichtung und Verfahren zur Detektion einer Überlagerungsmarkierung mit Hellen und Dunklen Feldern
Optik & Fototechnik
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20.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Verbindungsstrukturen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Verfahren und Vorrichtung zur Montage von Elementen einer Mehrschichtigen Mikrolinsenanordnung
Kunststoff- & Polymertechnik
Optik & Fototechnik
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06.06.2018
Verfahren zur Verbesserung der Drahtbindungsstärke eines Bildsensors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A method for manufacturing a bond pad structure includes providing a substrate (201) structure including a substrate, a first metal layer (202) on the substrate (201), and a passivation layer (203) on the first metal layer (202), the passivation layer (203) having an opening (204) extending to the first metal layer (202); and filling the opening (204) of the passivation layer (203) with a second metal layer (205). The bond pad structure has a significantly increased thickness compared with the thickness of the exposed portion of the first metal layer in the opening, thereby ensuring wire bonding reliability and yield. |
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06.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Waferbondstruktur und Waferbondverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Resistiver Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Sram-Vorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Halbleiterwiderstand und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Mems-Mikrofon mit Reduziertem Leckstrom und Verfahren zur Herstellung davon
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Maskenkühlvorrichtung und Maskenkühlverfahren
Optik & Fototechnik
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30.05.2018
Verfahren zur Flachen Cu-Umformung mit Partieller Cu-Plattierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Stromquelle und Digital-Analog-Umsetzer
Steuerungs- & Regelungstechnik
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30.05.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Rippenschnittverfahren und Rippenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Verfahren zur Finfet-Kontaktbildung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.05.2018
Nichtflüchtige Speicher und Leseverfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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23.05.2018
Halbleiterstrukturen und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.05.2018
Dynamischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.05.2018
Dynamischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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16.05.2018
Haltungsspannungerzeugungsschaltung und Elektronische Vorrichtung
Steuerungs- & Regelungstechnik
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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16.05.2018
Rippen-Feldeffekttransistor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.05.2018
Bandlückenreferenzschaltung und Verfahren zur Verwendung davon
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.05.2018
Fin-Feldeffekttransistor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.05.2018
Verfahren zur Verbesserung eines Kanalbegrenzungsimplantats
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.05.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.05.2018
Flash-Speicher-Vorrichtung und Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.05.2018
Dummy-Gatestrukturen und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.05.2018
Verfahren zur Verbesserung der Leistung einer Finfet-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.05.2018
Balun-Struktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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02.05.2018
Magnetischer Direktzugriffsspeicher und Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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