Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Patente
🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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266 gesamt| Patent | |||
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23.10.2019
Speicherarray und Verfahren zum Lesen, Programmieren und Löschen eines Speicherarrays
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 21.08.2017
Erteilt am 23.10.2019
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
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02.10.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.08.2017
Erteilt am 02.10.2019
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
Semiconductor devices and fabrication methods thereof are provided. An exemplary fabrication method includes providing a semiconductor substrate; forming a plurality of fins on a surface of the semiconductor substrate; forming an isolation flowable layer covering the plurality of fins over the semiconductor substrate; performing a first annealing process to turn the isolation flowable layer into an isolation film; and forming first well regions and second well regions in the fins and the semiconductor substrate. The second well regions are at two sides of the first well regions and contact with the first well regions; the first well regions have a first type of well ions; the second well regions have a second type of well ions; and the first type is opposite to the second type in the conductivities. |
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02.10.2019
Halbleiterbauelement und Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.08.2017
Erteilt am 02.10.2019
Vertretung
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11.09.2019
Verbindungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.11.2017
Erteilt am 11.09.2019
Vertretung
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04.09.2019
Verfahren und Vorrichtung für Kompakte Efuse-Anordnung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 27.10.2016
Erteilt am 04.09.2019
Vertretung
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04.09.2019
Sram-Halbleiterbauelemente und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.11.2017
Erteilt am 04.09.2019
Vertretung
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14.08.2019
Verfahren zur Strukturierung eines Halbleiterbauelements ohne Strukturkollaps
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.10.2017
Erteilt am 14.08.2019
Vertretung
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03.07.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.11.2017
Erteilt am 03.07.2019
Vertretung
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03.07.2019
Struktur mit Geringem Kernstromleck in einem Io-Empfänger Während einer Io-Abschaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 13.04.2017
Erteilt am 03.07.2019
Vertretung
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19.06.2019
Verfahren für als Mittelstoppschicht für Porösen Film mit Niedrigem K-Wert Verwendeten Fluorkohlenstofffilm
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2017
Erteilt am 19.06.2019
Vertretung
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15.05.2019
Herstellungsverfahren für Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 16.08.2017
Erteilt am 15.05.2019
Vertretung
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01.05.2019
Verfahren zur Herstellung eines Cmos-Bildsensors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.12.2016
Erteilt am 01.05.2019
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
The present invention provides CMOS image sensors and fabrication methods thereof. An exemplary fabrication process of a CMOS image sensor includes providing a substrate having a first region and a second region connecting with the first region at a first end of the first region; forming a transfer transistor on surface of the substrate in the second region; forming a first implanting region in the substrate in the first region using a first mask; forming a second implanting region in the first implanting region by, the first implanting region being separated into a third implanting region on the second implanting region and a fourth implanting region under the second implanting region; forming a fifth region in the second region at the first end using a second mask, connecting the third implanting region with the fourth implanting region. |
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01.05.2019
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.07.2017
Erteilt am 01.05.2019
Vertretung
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06.03.2019
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.01.2017
Erteilt am 06.03.2019
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
The present invention provides semiconductor structures and fabrication methods thereof. An exemplary semiconductor structure includes an insulation material layer having a top semiconductor layer having transistor regions formed on a top surface of the insulation material layer; isolation structures formed in the top semiconductor layer between adjacent transistor regions; a first dielectric layer formed over the top semiconductor layer; a first heat-conducting layer having a thermal conductivity higher than a thermal conductivity of the isolation structure and passing through the insulation material layer, the top semiconductor layer and the first dielectric layer; a second dielectric layer formed over the first dielectric layer; an interconnect structure formed in the second dielectric layer; and a bottom layer conductive via passing through the heat-conducting layer and a partial thickness of the second dielectric layer, and electrically connected with the interconnect structure. |
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06.02.2019
Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Flachen Grabenisolation
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.12.2016
Erteilt am 06.02.2019
Vertretung
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06.02.2019
Kompaktes Efuse-Array mit Unterschiedlichen Mos-Grössen Gemäss dem Physischen Ort in einer Wortzeile
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 16.12.2016
Erteilt am 06.02.2019
Vertretung
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09.01.2019
Struktur und Verfahren für eine Speicherzellenanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2017
Erteilt am 09.01.2019
Vertretung
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26.12.2018
Esd-Schutzvorrichtung und -Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.06.2017
Erteilt am 26.12.2018
Vertretung
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12.12.2018
Hochspannungs-Esd-Vorrichtung für Finfet-Technologie
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 22.03.2017
Erteilt am 12.12.2018
Vertretung
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03.10.2018
Cmos-Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.12.2016
Erteilt am 03.10.2018
Vertretung
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05.09.2018
Verfahren und System zur Gleichförmigen Abscheidung von Metall
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.01.2017
Erteilt am 05.09.2018
Vertretung
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05.09.2018
Vorrichtung zum Schutz vor Elektrostatischer Entladung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2016
Erteilt am 05.09.2018
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
Klunker IP · München
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05.09.2018
Wannenimplantationsverfahren für Finfet-Vorrichtungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.11.2016
Erteilt am 05.09.2018
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
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29.08.2018
Finfet und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.12.2016
Erteilt am 29.08.2018
Vertretung
Klunker IP Patentanwälte PartG mbB · München
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22.08.2018
Halbleiterstruktur, Statischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor structure, a method for fabricating the semiconductor structure, and a static random access memory are provided. The method includes providing a base substrate including a substrate and a plurality of discrete fins on the substrate. The substrate includes a pass gate transistor region. The method also includes forming a gate structure across a length portion of each fin, covering top and sidewall surfaces of each fin, and on each fin. Further, the method includes forming pass gate doped regions in the fin on both sides of the gate structure in the pass gate transistor region. At least one of the pass gate doped regions is formed by performing an ion-doped non-epitaxial layer process on the fin. |
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18.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.07.2018
Low-Dropout-Regulator (ldo)-Schaltung
Steuerungs- & Regelungstechnik
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11.07.2018
Vorrichtung zum Chemisch-Mechanischen Polieren und Verfahren zum Chemisch-Mechanischen Polieren
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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04.07.2018
Verfahren zur Herstellung einer Damaszenstruktur mit Fluorkohlenstofffilm
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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04.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor structure and a fabrication method are provided. The fabrication method includes providing a substrate, including a first region and a second region; forming a first doped region in the first region of the substrate, the first doped region having first doping ions; forming a second doped region in the second region of the substrate, the second doped region having second dopant ions with a conductivity type opposite to the first doping ions; forming a first metallide on a surface of the first doped region having the first doping ions; and forming a second metallide on a surface of the second doped region having the second doping ions, the second metallide and the first metallide being made of different materials. |
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04.07.2018
Halbleiterbauelemente und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.07.2018
Chip mit Physikalischer Unklonbarer Funktion und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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04.07.2018
Teststruktur und Entsprechendes Herstellungs- und Prüfverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Vorrichtung zum Betimmen des Selbsterwärmungseffekts und Testverfahren
Software & Datenverarbeitung
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27.06.2018
Vorrichtung und Verfahren zur Detektion einer Überlagerungsmarkierung mit Hellen und Dunklen Feldern
Optik & Fototechnik
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27.06.2018
Überlagerungsmessverfahren und -Vorrichtung
Optik & Fototechnik
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27.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Verpackungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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