CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Procédé de réalisation d'un contact ohmique sur une couche semi-conductrice (14) à base de GaN dopée p comprenant, dans cet ordre, les étapes suivantes :-prévoir un substrat (10) se terminant par une couche semi-conductrice à base de GaN (14),-effectuer au moins une implantation de la couche semi-conductrice (14) à l'aide de Magnésium (Mg) de sorte à introduire des atomes de Mg dans la couche semi-conductrice (14) et de manière à rendre amorphe une région superficielle (142) de la couche semi-conductrice (14), tout en conservant une région inférieure (141) cristalline de la couche semi-conductrice,-déposer une première couche métallique (17) sur et en contact de la région superficielle (142) rendue amorphe de la couche semi-conductrice (14),-effectuer au moins un traitement thermique de recuit selon une température et une durée de recuit prévues de manière à faire réagir la région superficielle (142) et la première couche métallique (17) pour former une zone d'alliage de métal et de semi-conducteur et former entre cette zone d'alliage de métal et de semi-conducteur et la région inférieure cristalline de la couche semi-conductrice une couche delta comportant des atomes de Magnésium.

La présente description concerne un dispositif (100) comportant : un substrat de report (101) comportant des éléments de connexion électrique (105, 109) ; une pluralité de puces élémentaires (121) fixées et connectées électriquement au substrat de report (101), chaque puce élémentaire (121) comportant au moins une LED (125) et un circuit électronique de commande (123) de ladite au moins une LED (125) ; au moins un élément (141) de conversion d'une énergie ambiante en énergie électrique fixé et connecté électriquement au substrat de report (101) ; et au moins un circuit (131) de gestion de puissance électrique fixé et connecté électriquement au substrat de report (101), le circuit (131) de gestion de puissance électrique étant configuré pour optimiser une puissance électrique délivrée par ledit au moins un élément de conversion (141) pour l'alimentation d'une charge.

La présente invention concernant un dispositif électronique (1) comprenant un capteur primaire (2) configuré pour réaliser l'acquisition d'un signal de mesure (x) d'au moins un paramètre physiologique d'un être vivant ; un extracteur de caractéristique (3) ; un décodeur primaire (4) utilisant la caractéristique extraite (S) et configuré pour déterminer un signal de commande (C) d'un actionneur (6) avec lequel l'être vivant interagit. L'extracteur de caractéristique (3) est configuré pour réaliser l'extraction de caractéristiques (S) du signal de mesure (x) de façon approximée selon plusieurs niveaux de précision en fonction d'un paramètre de contrôle de précision (PCP) ajusté en fonction d'une valeur d'un paramètre d'évaluation de qualité (PEQ). La présente invention concerne également un procédé d'extraction de caractéristiques.

The present invention relates to a method for automatically verifying the correctness of a target computer program, said target computer program being defined by first code instructions in a given programming language, characterized in that it comprises performing, by a data processing unit (21) of a server (2), steps of: (a) Obtaining a collection of mathematical proof obligations, the truth of which implies correctness of the target computer program; (b) Constructing a set of proof strategies, each strategy being defined as a sequence of at least one elementary strategy based on a proof tactic and/or at least one automated prover run, for attempting to discharge at least one of said proof obligations; (c) Selecting a priority proof strategy among said set of proof strategies according to a given criterion; (d) Applying the selected priority proof strategy so as to attempt to discharge at least one of said proof obligations; (e) Determining whether the correctness of said target computer program is verified as a function of the proof obligations that have been successfully discharged.

Modulateur 10 comprenant :- Au moins deux canaux (A, B, C) disposés en parallèle, chaque canal (A, B, C) recevant respectivement en entrée un signal d'horloge de canal (clkin_A, clkin_B, clkin_C), chaque canal (A, B, C) étant apte à retarder le signal d'horloge de canal (clkin_A, clkin_B, clkin_C) afin de générer un signal de canal modulé (clkout_A, clkout_B, clkout_C) en fonction de données de commande de retard de canal (del_A, del_B, del_C);- Un circuit logique d'entrée (11) recevant en entrée un signal d'horloge maître (clk) ainsi que des échantillons de fréquence normalisés (freq), et apte à générer les signaux d'horloge de canal (clkin_A, clkin_B, clkin_C) et les données de commande de retard de canal (del_A, del_B, del_C) ;- Un circuit logique de sortie (12) recevant en entrée chaque signal de canal modulé (clkout_A, clkout_B, clkout_C) et apte à générer un signal de sortie modulé en fréquence (dout) issu de leur combinaison.

L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif spintronique (D1) comprenant :- une jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un transistor de polarisation (T_pol) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) ;- un circuit de détection (DET) ayant une entrée (e_det) connectée à un premier nœud de détection (NC1) et une sortie (s_det) pour générer un signal de détection (V_out) ; le circuit de détection comprenant au moins un premier inverseur (INV1) comprenant un premier transistor NMOS (T_INV1,N) et un second transistor PMOS (T_INV1,P) ayant chacun :∘ une grille avant (G_{1,N ,}G_1,P) ;∘ une grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) formée par une couche isolante (BOX) enterrée dans un substrat semi-conducteur (2) ;- un circuit de contrôle (CONT) configuré pour appliquer une tension de commande (V_cmd) non-nulle sur la grille arrière (G_{2,N ,}G_2,P) d'au moins l'un parmi le premier ou le second transistor.

L'invention a pour objet un dispositif spintronique (D1) comprenant : - une jonction tunnel magnétique (MTJ) ayant une résistance qui fluctue entre au moins deux états résistifs distincts (P, AP) selon sa magnétisation; - un transistor de contrôle (T<N1>) monté en série avec la jonction tunnel magnétique (MTJ) entre un nœud d'alimentation (VDD) et la masse électrique (GND) ; le nœud commun entre le transistor de contrôle et la jonction tunnel magnétique constituant un premier nœud de détection (NC1) ; - un élément capacitif (C<1>) connecté entre le premier nœud de détection (NC1) et un second nœud de détection (NC2) ; - un circuit de détection (COMP, INV) ayant une première entrée connectée au second nœud de détection (NC2) et configuré pour générer un signal de détection (V<out>) variable selon l'état résistif de la jonction tunnel magnétique (MTJ) à partir du potentiel électrique (V<VAR>) du second nœud de détection (NC2).

L'invention porte sur un détecteur thermique comportant un transducteur thermique qui comprend une diode couplée thermiquement à un absorbeur. La diode comporte une région défectueuse, une couche intercalaire et une couche de charge. La couche de charge a une concentration en porteurs majoritaires au moins 100 fois supérieure à une celle de la couche intercalaire. La région défectueuse et la couche intercalaire sont en contact avec la couche de charge de part et d'autre de celle-ci. La région défectueuse comporte des défauts cristallins et a une énergie de gap strictement inférieure à celle de la couche de charge. La couche de charge et la région défectueuse sont situées d'un même côté de la jonction. Un circuit de lecture est configuré pour polariser en inverse la diode, de sorte à étendre la zone de charges d'espace jusqu'à atteindre la région défectueuse, et lire un courant d'obscurité de la diode.

La présente description concerne un dispositif de rétroéclairage et de détection de gestes comprenant : - des premiers éléments (145a) d'émission de lumière blanche ; - des deuxièmes éléments (145b) d'émission de rayonnements infrarouge ou de lumière visible ; et - des troisièmes éléments (145c) de détection des rayonnements infrarouge ou de la lumière visible émis(e) par les deuxièmes éléments (145b), dans lequel les premiers (145a), deuxièmes (145b) et troisièmes (145c) éléments sont connectés électriquement à un même substrat (121).

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un objet en acier par fusion sur lit de poudre caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) fournir une couche de poudre d'acier 316L comportant au plus 200 ppm d'azote, la poudre employée n'ayant pas fait l'objet d'une atomisation particulière ou d'un quelconque prétraitement chimique, b) effectuer une consolidation de la couche de poudre par fusion sur lit de poudre sous atmosphère contrôlée à une pression partielle d'Argon (Ar) p<Ar> telle que 0 ≤ p<Ar> < 1 et une pression partielle de diazote (N<2>) telle que 0 < p<N2> ≤ 1, avec par + p<N2> = 1, c) répéter les étapes a) et b) autant que nécessaire pour fabriquer l'objet en acier.