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Changxin Memory Technologies

🇨🇳 China aktiv

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Patente

2.637 gesamt
Patent
06.05.2026
Halbleitergehäuseanordnung und Herstellungsverfahren
11.03.2026
Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
11.03.2026
Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur
Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.03.2026
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren Dafür, Speicher und Betriebsverfahren dafür
Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.03.2026
Gehäusestruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
04.03.2026
Impulserzeugungsschaltung und Schaltung zur Erzeugung Gestaffelter Impulse
Elektronik & Schaltungstechnik
25.02.2026
Verfahren zur Erfassung einer Rowhammer-Aktualisierungsadresse und Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
18.02.2026
Signalabtastschaltung und Halbleiterspeichervorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
18.02.2026
Komparatorschaltung, Fehlanpassungskorrekturverfahren und Speicher
Elektronik & Schaltungstechnik
11.02.2026
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür sowie Speicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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