Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Patente
🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.392 gesamt| Patent | |||
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26.08.2015
Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatur-Ultraschallwandlers unter Verwendung eines mit Gold und Indium gelöteten Lithiumniobatkristalls
Verfahrens- & Trenntechnik
Elektrische Energietechnik
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26.08.2015
Photovoltaikmodul mit Vereinfachtem Anschluss
Elektrische Energietechnik
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26.08.2015
Verfahren zum Direkten Bonden einer Siliciumoxidschicht
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.08.2015
2,3-Dihydrochinazolin-4(1 H)-On-Derivate für die Behandlung von Virusinfektionen
Medizintechnik & Gesundheit
Organische Chemie
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Status
Angemeldet am 18.10.2013
Anhängig
Vertretung
Bernstein, Claire Jacqueline · Clichy
Gevers & Orès · Paris La Défense
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26.08.2015
Verbundstoff mit Nanoobjekten, insbesondere von Carbonnanoobjekten, Verfahren zu Herstellung davon sowie Tinte und Elektrode mit Diesem Stoff
Kunststoff- & Polymertechnik
Anorganische Chemie & Werkstoffe
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19.08.2015
Herstellungsverfahren eines Transistors mit Heteroübergang vom Typ, der normalerweise blockiert ist
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
P-type dopants are implanted to form an implanted area (81) on a layer (41), an upper portion of the layer and implanted area is removed by maintaining vapor phase epitaxy conditions, removal is stopped when density of dopant is maximum, a layer (42) is formed on implanted area and layer (41) by vapor phase epitaxy. A layer (6) is formed by vapor phase epitaxy to form an electron gas layer (5) on an interface between the layers (41, 42), and a control gate (73) is formed on the layer (6) plumb with the implanted area to obtain a heterojunction field-effect transistor (1). P-type dopants are implanted to form an implanted area on a layer (41), an upper portion of the layer and implanted area is removed by maintaining vapor phase epitaxy conditions, removal is stopped when the density of dopant is maximum, a layer (42) is formed on the implanted area and the layer (41) by vapor phase epitaxy. A layer (6) is formed by vapor phase epitaxy to form an electron gas layer on an interface between the layers, and a control gate is formed on the layer (6) plumb with the implanted area to obtain a heterojunction field-effect transistor. The layers are made of III-V semiconductor alloy. |
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19.08.2015
Herstellung von Silizium und Germanium Nanodrähten integrierte auf einem Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2015
Beschreibbares Magnetisches Element
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.08.2015
Elektronische Abbildungsmatrix von Erhöhter Zuverlässigkeit und Verfahren zum Lokalisieren eines Fehlers in der Matrix
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 31.01.2012
Erteilt am 19.08.2015
Vertretung
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19.08.2015
Pulver aus einer Legierung auf der Basis von Uran enthaltend Molybdän, in Gamma-Metastabiler Phase, Zusammensetzung aus Pulvern mit Diesem Pulver und Verwendungen Dieses Pulvers und der Zusammensetzung
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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19.08.2015
Stromsensor und Leiterplatte für Diesen Sensor
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Elektrische Energietechnik
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19.08.2015
Verfahren zur Klassifikation eines Multimodalen Objekts
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 07.10.2013
Anhängig
Vertretung
Hammes, Pierre · Arcueil
Atout PI Laplace · Paris
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19.08.2015
Verfahren zur Herstellung von Formamidinen
Organische Chemie
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Status
Angemeldet am 11.10.2013
Anhängig
Vertretung
Mena, Sandra · Paris
Gevers & Orès · Paris La Défense
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19.08.2015
Verfahren zur Steuerung der Wellenlänge einer Laserquelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 17.02.2014
Anhängig
Vertretung
Blot, Philippe Robert Emile · Paris
Lavoix · Paris
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19.08.2015
Vorrichtung zum Senden und/oder Modulieren optischer Signale mit passiven Phasenschiebern
Optik & Fototechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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19.08.2015
Bolometrischer Detektor mit MIM-Struktur, der ein Thermometerelement umfasst
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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19.08.2015
Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausscheidungsmenge einer Körperflüssigkeit einer Person oder eines Tieres
Medizintechnik & Gesundheit
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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19.08.2015
Absorptionskühlung für Flugzeugtransportwagen und -Fächer
Luft- & Raumfahrttechnik
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Status
Angemeldet am 11.10.2013
Anhängig
Vertretung
Phillips & Leigh LLP · London
Phillips & Leigh · London
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19.08.2015
Verfahren und System zur Bilderfassung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 04.03.2014
Erteilt am 19.08.2015
Vertretung
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19.08.2015
Hemmer von MMP-12 als antivirale Wirkstoffe
Medizintechnik & Gesundheit
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12.08.2015
Kontaktlose Kommunikationsvorrichtung
Software & Datenverarbeitung
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12.08.2015
Datenfluss-Verwaltungsschnittstelle für Maschine-zu-Maschine-Kommunikationsnetz
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
The gateway (300) has input buffers (310) storing elementary packets from communicating devices, and output buffers (320) storing composite packets formed by aggregation of basic packets. A flow regulator (340) determines size parameters and/or time of transmission of the composite packets so that the flow of the packets conforms to a flow type of a cellular network. A multiplexer (330) transfers and aggregates the elementary packets stored in the form of composite packets. A scheduler (360) transmits the composite packets by transmission resources of the cellular network. |
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12.08.2015
Verfahren zur Extraktion von mindestens einem Chemischen Elemet aus einem Schmelzsalzmedium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Elektrische Energietechnik
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12.08.2015
Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturmessung mit Halbleiternanokristallen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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12.08.2015
Verfahren zur Messung der Leistung bei einem Fahrrad
Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff)
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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12.08.2015
Verfahren zur Chemischen Stabilisierung von Urancarbidverbindungen und Vorrichtung zur Umsetzung des Verfahrens
Elektrische Energietechnik
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12.08.2015
Verfahren zur Klassifizierung der An- oder Abwesenheit eines Mikroorganismus in einem Biologischen Medium
Pharma & Biotechnologie
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 27.06.2012
Erteilt am 12.08.2015
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12.08.2015
Organische Optoelektronische Vorrichtung und Verkapselungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.07.2012
Erteilt am 12.08.2015
Vertretung
Bolinches, Michel Jean-Marie · Paris
Gevers & Orès · Paris La Défense
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06.08.2015
Electrode material, preparation process and use in a lithium secondary battery
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.01.2015
Anhängig
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05.08.2015
Verfahren zur Herstellung eines Lichtwellenleiters mit Schlitz auf Silizium
Optik & Fototechnik
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Zusammenfassung
The method involves depositing a thin single-crystal silicon layer on a silicon substrate (10) covered with an insulating buried layer (12), and uniformly depositing a semi-insulating or insulating layer on a silicon layer. Local thermal oxidation is performed in depth of the silicon layer, before uniform deposition of the semi-insulating or insulating layer, for forming an insulating oxidized band extending along a path of a semi-insulating or insulating vertical wall under and on both sides of the wall on entire length of the path, such that the wall is not adjacent to the silicon layer. |
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05.08.2015
Spezifische Elektrolytzusammensetzung für eine Energiespeichervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2015
Verfahren zur Bestimmung eines Äquivalenten Radarquerschnitts auf Basis von Nahfeldmessungen
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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05.08.2015
Verfahren zur Entgiftung und zur Regenerierung einer durch Schwefelverbindungen Kontaminierten Brennstoffzellenelektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2015
Flip-Chip-Montageverfahren zum Verbinden Zweier Elektronischer Bauteile und in Diesem Verfahren Hergestellte Baugruppe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.08.2015
Detektor für Photonenstrahlung, der ein Antennennetz und eine widerstandsfähige Spiralhalterung umfasst
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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05.08.2015
Paneel aus einer Zellmatrix aus Flüssigkristallen zur Verwendung in einem Nanoprojektor
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 17.06.2013
Erteilt am 05.08.2015
Vertretung
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05.08.2015
Verschlussvorrichtung für eine Öffnung in einem Gebäude
Hochbau & Gebäudetechnik
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30.07.2015
Device for measuring the amount of beryllium in a radioactive object
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 26.01.2015
Anhängig
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30.07.2015
Inhibitors of sterol metabolism for their use to accumulate triglycerides in microalgae, and methods thereof
Pharma & Biotechnologie
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Status
Angemeldet am 27.01.2015
Anhängig
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29.07.2015
Verfahren zur Herstellung von Protonen-Leitenden Tonpartikeln und Verbundmaterialien die Diese Teilchen Enthalten
Verfahrens- & Trenntechnik
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
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Status
Angemeldet am 15.04.2005
Erteilt am 29.07.2015
Vertretung
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Wer vertritt Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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