Nexperia Patente
🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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458 gesamt| Patent | |||
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04.06.2025
Leiterrahmen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.05.2025
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2025
A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as such semiconductor package assembly
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 31.10.2024
Anhängig
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08.05.2025
Signal pin, electronic device, and method of assembling an electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.11.2023
Anhängig
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08.05.2025
A terminal structure for a power semiconductor packaging
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.11.2023
Anhängig
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08.05.2025
Power semiconductor module and manufacturing method thereof
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.11.2023
Anhängig
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07.05.2025
Halbleiter-Chip-Scale-Gehäuse
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Leistungshalbleiterbauelement und Zugehörige Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.05.2025
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitergehäuseanordnung sowie eine Solche Halbleitergehäuseanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.04.2025
Leitungsrahmenanordnung für ein Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.04.2025
Adaptive Anstiegsratendetektion für einen Synchrongleichrichter eines Synchronsperrwandlers
Elektrische Energietechnik
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23.04.2025
Halbleiterschaltvorrichtung mit einer Randabschlussstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.04.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.04.2025
Substrat für Leistungshalbleitergehäuse und Gehäuse mit Solcheinem Substrat
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.04.2025
Carrier for laser die transfer, wafer assembly, and pick and place apparatus comprising the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2024
Anhängig
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03.04.2025
Carrier for laser induced forward transfer and transfer apparatus comprising the same
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2024
Anhängig
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02.04.2025
Verfahren und Zwischenstufe zur Herstellung eines Halbleiter-Die-Pakets
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Gleichspannungswandler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 22.06.2020
Erteilt am 02.04.2025
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Algemeen Octrooi- en Merkenbureau B.V · Eindhoven
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02.04.2025
Verbesserte Oberfläche einer Übergangsabschlussverlängerung für Halbleiterbauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Verbesserte Vertiefte Bereiche einer Übergangsabschlusserweiterung für Halbleiterbauelemente
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Halbleitergehäuse für eine Leiterplatte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Träger für Laser-Chip-Übertragung, Wafer-Anordnung und Aufnahme- und Platzierungsvorrichtung damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Halbleitergehäuse, Verfahren zur Herstellung einer Menge von Halbleitergehäusern und Anordnung von Halbleitergehäusern
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Träger für Laserinduzierte Vorwärtsübertragung und Übertragungsvorrichtung damit
Metallurgie & Oberflächentechnik
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02.04.2025
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Integrierte Schaltungspackung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Clip, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Clip
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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12.03.2025
Vorrichtung zur Übertragung von Halbleiterschaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Halbleiteranordnung mit Verbessertem Abschlussbereich sowie Entsprechendes Verfahren und Leistungsanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Randabschlussregion einer Superjunction-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Randabschlussregion einer Superjunction-Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.02.2025
Verfahren zur Herstellung von Mosfets
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.02.2025
Leistungshalbleiterbauelement und Zugehörige Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.02.2025
Halbleiteranordnung mit Verbessertem Abschlussbereich, sowie Entsprechendes Herstellungsverfahren und Leistungsanordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor device, comprising a semiconductor body comprising a semiconductor substrate and an epitaxial layer formed on the semiconductor substrate, said epitaxial layer being of the first conductivity type, and wherein an active area and a termination area adjacent the active area are arranged in the epitaxial layer, wherein said termination area comprises a plurality of laterally spaced apart first regions, said first regions being of the second conductivity type opposite to said first conductivity type, each of said plurality of first regions enclosing, observed from a top view of said semiconductor device, said active area and one or more second regions, wherein said second regions are comprised in between said plurality of spaced apart first regions, respectively, wherein said one or more second regions extend further into said epitaxial layer than said plurality of spaced apart first regions, and wherein said one or more second regions comprise an insulation material for insulating said plurality of spaced apart first regions from one another. |
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Wer vertritt Nexperia?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Nexperia vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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