OmniVision Technologies
🇺🇸 USA aktiv
OmniVision Technologies ist ein US-amerikanischer Hersteller von Bildsensoren für Kameras und mobile Geräte. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Nachrichtentechnik und Halbleiterbauelemente, insbesondere CMOS-Bildsensortechnologie.
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Patente
327 gesamt| Patent | |||
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02.09.2026
Speicherzellenprogrammierung mit Hohem Signal-Rausch-Verhältnis für Speicherinterne Berechnung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
An in-memory computing system (200) includes a cross-bar array (414, 514) of memory cells (402), each having a cell transistor (702) and a memristor (502) connected in series between a select line (704) and a bit line (706). A group of programming transistors (1102), located outside the cross-bar array (514) and fewer in number than the memory cells, is selectively connected in parallel with cell transistors (702) of a common row during a write mode and isolated during a read mode. This configuration increases programming current without enlarging a footprint of the cross-bar array, enabling multi-level conductance states and improved signal-to-noise ratio for analog in-memory computing. In some embodiments, the in-memory computing system is integrated with an image sensor die for on-sensor inference. |
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26.08.2026
Analoge Speicherinterne Rechnervorrichtung für Neuronales Netzwerk
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Zusammenfassung
An analog in-memory computing device (100) for a neural network is provided. The analog in-memory computing device (100) includes a memristor array (120) and a readout circuit (140). The readout circuit (140) includes a differential amplifier circuit (AMP3, AMP4, AMP5, AMP6) and a plurality of current-voltage conversion circuits (CVC31 to CVC3n, CVC41 to CVC4n, CVC51 to CVC5n, CVC61 to CVC6n). A first input terminal of the differential amplifier circuit (AMP3, AMP4, AMP5, AMP6) is coupled to a reference voltage source (Vref). Each second input terminal of the differential amplifier circuit (AMP3, AMP4, AMP5, AMP6) is coupled to a corresponding column line of the memristor array (120). A first terminal of each current-voltage conversion circuit (CVC31 to CVC3n, CVC41 to CVC4n, CVC51 to CVC5n, CVC61 to CVC6n) is coupled to a corresponding column line. A second terminal of each current-voltage conversion circuit (CVC31 to CVC3n, CVC41 to CVC4n, CVC51 to CVC5n, CVC61 to CVC6n) is coupled to a corresponding output terminal of the differential amplifier circuit (AMP3, AMP4, AMP5, AMP6). Each current-voltage conversion circuit (CVC31 to CVC3n, CVC41 to CVC4n, CVC51 to CVC5n, CVC61 to CVC6n) outputs a readout result voltage corresponding to a corresponding column line. |
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06.05.2026
Rekonfigurierbarer Hybrider Ereignisbasierter Sichtsensor und Cmos-Bildsensor
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Zusammenfassung
A method to operate a reconfigurable hybrid event-based vision sensor is disclosed. The hybrid image sensor has a pixel circuit array including a plurality of pixel circuits. The method comprises: detecting motion in an external scene; and based on the detected motion, configuring the hybrid image sensor into a hybrid mode in which a first subset of the plurality of pixel circuits are operated in an event vision sensor (EVS) configuration to capture contrast information, and a second subset of the plurality of pixel circuits are operated in a CMOS image sensor (CIS) configuration to capture intensity information. |
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11.06.2025
Hybridbildsensoren mit mehreren Betriebsmodi
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
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19.04.2023
Zweistufiger Graucodezähler mit Redundantem Bit
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Zusammenfassung
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23.11.2022
Verbessern eines Defekten Farb- und Panchromatischen Cfa-Bildes
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 09.10.2009
Erteilt am 23.11.2022
Vertretung
Hackney, Nigel John · London
Mewburn Ellis LLP · München
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22.06.2022
Gestapelter Bildsensor mit Abschirmungshöckern zwischen Interconnects
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.09.2017
Erteilt am 22.06.2022
Vertretung
Leach, James · London
Mewburn Ellis LLP · München
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30.03.2022
Schaltungs- und Fotosensorüberlappung für einen Rückseitenbeleuchtungs-Bildsensor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.02.2009
Erteilt am 30.03.2022
Vertretung
Hackney, Nigel John · London
Mewburn Ellis LLP · München
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31.03.2021
Bildsensor mit Zweifachmodus mit einer Farbfilteranordnung zur Signaltrennung und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.10.2015
Erteilt am 31.03.2021
Vertretung
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30.09.2020
Vorrichtung zur dreidimensionalen Bilderfassung mit erweiterter Schärfentiefe
Optik & Fototechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 09.02.2012
Erteilt am 30.09.2020
Vertretung
Dehns Germany Partnerschaft mbB · München
m patent group · München
Zusammenfassung
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