Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Patente
🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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281 gesamt| Patent | |||
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22.08.2018
Halbleiterstruktur, Statischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor structure, a method for fabricating the semiconductor structure, and a static random access memory are provided. The method includes providing a base substrate including a substrate and a plurality of discrete fins on the substrate. The substrate includes a pass gate transistor region. The method also includes forming a gate structure across a length portion of each fin, covering top and sidewall surfaces of each fin, and on each fin. Further, the method includes forming pass gate doped regions in the fin on both sides of the gate structure in the pass gate transistor region. At least one of the pass gate doped regions is formed by performing an ion-doped non-epitaxial layer process on the fin. |
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18.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.07.2018
Low-Dropout-Regulator (ldo)-Schaltung
Steuerungs- & Regelungstechnik
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11.07.2018
Vorrichtung zum Chemisch-Mechanischen Polieren und Verfahren zum Chemisch-Mechanischen Polieren
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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04.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A semiconductor structure and a fabrication method are provided. The fabrication method includes providing a substrate, including a first region and a second region; forming a first doped region in the first region of the substrate, the first doped region having first doping ions; forming a second doped region in the second region of the substrate, the second doped region having second dopant ions with a conductivity type opposite to the first doping ions; forming a first metallide on a surface of the first doped region having the first doping ions; and forming a second metallide on a surface of the second doped region having the second doping ions, the second metallide and the first metallide being made of different materials. |
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04.07.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.07.2018
Halbleiterbauelemente und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.07.2018
Teststruktur und Entsprechendes Herstellungs- und Prüfverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.07.2018
Chip mit Physikalischer Unklonbarer Funktion und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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04.07.2018
Verfahren zur Herstellung einer Damaszenstruktur mit Fluorkohlenstofffilm
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Verpackungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Vorrichtung zum Betimmen des Selbsterwärmungseffekts und Testverfahren
Software & Datenverarbeitung
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27.06.2018
Kondensator, Bildsensorschaltung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.06.2018
Überlagerungsmessverfahren und -Vorrichtung
Optik & Fototechnik
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27.06.2018
Vorrichtung und Verfahren zur Detektion einer Überlagerungsmarkierung mit Hellen und Dunklen Feldern
Optik & Fototechnik
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20.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Verbindungsstrukturen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.06.2018
Verfahren und Vorrichtung zur Montage von Elementen einer Mehrschichtigen Mikrolinsenanordnung
Kunststoff- & Polymertechnik
Optik & Fototechnik
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06.06.2018
Verfahren zur Verbesserung der Drahtbindungsstärke eines Bildsensors
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
A method for manufacturing a bond pad structure includes providing a substrate (201) structure including a substrate, a first metal layer (202) on the substrate (201), and a passivation layer (203) on the first metal layer (202), the passivation layer (203) having an opening (204) extending to the first metal layer (202); and filling the opening (204) of the passivation layer (203) with a second metal layer (205). The bond pad structure has a significantly increased thickness compared with the thickness of the exposed portion of the first metal layer in the opening, thereby ensuring wire bonding reliability and yield. |
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06.06.2018
Sram-Vorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Resistiver Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Waferbondstruktur und Waferbondverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.06.2018
Halbleiterwiderstand und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Verfahren zur Flachen Cu-Umformung mit Partieller Cu-Plattierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Rippenschnittverfahren und Rippenstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Maskenkühlvorrichtung und Maskenkühlverfahren
Optik & Fototechnik
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Stromquelle und Digital-Analog-Umsetzer
Steuerungs- & Regelungstechnik
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30.05.2018
Halbleiterbauelement und Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Verfahren zur Finfet-Kontaktbildung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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30.05.2018
Mems-Mikrofon mit Reduziertem Leckstrom und Verfahren zur Herstellung davon
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Wer vertritt Semiconductor Manufacturing International (Beijing)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Semiconductor Manufacturing International (Beijing) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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