STMicroelectronics (Rousset) Patente
🇫🇷 Frankreich
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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321 gesamt| Patent | |||
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25.02.2026
Verfahren zur Synchronisierung von Zeitdomänen eines Systems auf einem Chip
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28.01.2026
Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Rechenbelastung eines Mikroprozessors zur Datenverarbeitung durch ein Neuronales Netz mit Konvolution
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14.01.2026
Schaltungen und Verfahren zur Entprellung von Signalen, die von einem Drehgeber Erzeugt Werden
EP4641928
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 17.03.2023
Anhängig
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24.12.2025
Rfid- und Qi-Vorrichtung
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a device comprising a frequency demodulator and an amplitude demodulator, the device being configured to use, in a first mode, both demodulators in parallel and to activate an RFID card mode or a Qi charger mode based on results provided by said demodulators. |
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24.12.2025
Verfahren für Speicherinterne Faltungsberechnungen und Entsprechende Integrierte Schaltung
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03.12.2025
Schaltungen und Verfahren zur Entprellung von Signalen, die von einem Drehgeber Erzeugt Werden
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Status
Angemeldet am 17.03.2023
Erteilt am 03.12.2025
Vertretung
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26.11.2025
Synchronisierung einer Elektronischen Vorrichtung
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19.11.2025
Elektronisches System mit einer Steuereinheit, die zur Kommunikation mit einem Speicher Konfiguriert Ist
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19.11.2025
Schutz eines Kryptografischen Operation mit Elliptischen Kurven durch Dummy-Operationen
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05.11.2025
Nfc-Vorrichtungsdetektion
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15.10.2025
Verfahren zur Überwachung und Steuerung eines durch eine Antenne einer Kontaktlosen Kommunikationsvorrichtung Übertragenen Leistungsniveaus
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10.09.2025
Authentifizierungsverfahren eines Prozessors
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20.08.2025
Verfahren zur Umwandlung eines Digitalen Bilds
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30.07.2025
Verfahren zur Umsetzung einer Nfc-Transaktion
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Zusammenfassung
La présente description concerne un procédé mis en oeuvre par un premier dispositif NFC, dans lequel l'établissement (619) d'une transaction avec un deuxième dispositif NFC configuré en mode lecteur est effectué lorsque le niveau du signal reçu par le premier dispositif, configuré en mode carte, atteint un premier seuil (C), fonction du type de technologie de modulation du deuxième dispositif. |
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16.07.2025
System On Chip Integriert eine Direkte Speicherzugriffschaltung und Entsprechendes Verfahren
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02.07.2025
Verfahren zur Implementierung eines Netzwerks aus Künstlichen Neuronen in einer Integrierten Schaltung
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25.06.2025
Fehlererkennung
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11.06.2025
Zufallszahlengenerator
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La présente description concerne un 1. Circuit de test (202) d'un générateur de nombres aléatoires adapté à fournir une série de bits aléatoires (Random) et comprenant au moins une unité de test (201) configurée pour détecter un défaut dans la série de bits aléatoires (Random), ledit circuit de test (202) étant adapté à vérifier si, après la détection d'un premier défaut par l'unité de test (201), le nombre de bits aléatoires, générés par le générateur de nombres aléatoires sans détection d'un deuxième défaut par l'unité de test (201), est inférieur à un premier seuil. |
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14.05.2025
Elektronischer Schaltkreis
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La présente description concerne un circuit (100) comprenant une pluralité de transistors élémentaires connectés en parallèle entre un noeud d'application d'un premier potentiel d'une tension d'alimentation et une charge (104), la pluralité de transistors comprenant un premier ensemble (114) de transistors élémentaires dont les grilles sont couplées à un noeud de commande (127) par un premier circuit (128), et au moins un deuxième ensemble (110, 112) de transistors élémentaires dont les grilles sont couplées au noeud de commande (127) par un deuxième circuit (132), le deuxième circuit ayant deux états, les premier et deuxième circuits étant adaptés à fournir une tension de commande sensiblement identique aux grilles des premier et deuxième ensembles de transistors élémentaires lorsque le deuxième circuit est dans un des deux états. |
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14.05.2025
Treiberschaltung, Entsprechende Laseransteuerungsvorrichtung, Laserbeleuchtungsmodul, Lidar-Vorrichtung und Betriebsverfahren
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Status
Angemeldet am 05.12.2023
Erteilt am 14.05.2025
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14.05.2025
Erkennungsverfahren und -Vorrichtung von Eventuellen Fehlern auf einer Karte in einem auf Dieser Karte Fixierten System
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Zusammenfassung
Procédé de détection sur carte de défauts éventuels dans un système fixé sur ladite carte, le système comportant un circuit d'adaptation d'impédance (MTC) couplé à un composant sans contact (CTLR), ladite détection comportant une première partie effectuée par le composant sans contact lui-même. |
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23.04.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung, die Nur eine Vorbestimmte Anzahl von Malen Lesbar Ist
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Zusammenfassung
Dispositif de mémoire non volatile, comprenant un plan mémoire comportant au moins une zone mémoire (ZM) incluant une matrice de cellules mémoires (Mi,j) ayant deux rangées et N colonnes, chaque cellule-mémoire comprenant un transistor d'état ayant une grille de commande et une grille flottante, sélectionnable par un transistor de sélection vertical enterré dans un substrat et comportant une grille de sélection enterrée, chaque colonne de cellules-mémoires incluant une paire de cellules-mémoires jumelles, les deux transistors de sélection d'une paire de cellules-mémoires jumelles ayant une grille de sélection commune, et des moyens de traitement configurés pour stocker dans la zone mémoire une information comportant une succession de N bits de sorte que, à l'exception du dernier bit de la succession, un bit courant de ladite succession est stocké dans deux cellules-mémoires situées sur une même rangée et sur deux colonnes adjacentes et un bit courant et le bit suivant sont respectivement stockés dans deux cellules jumelles. |
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09.04.2025
Geschützter Elektronischer Chip
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19.03.2025
Kompensationsverafhren einer Phasenverschiebung zwischen einem von einem Gegenstand Ausgesendeten Signal und dem von einem mit einem Hüllkurvendetektor Ausgestatteten Lesegerät Empfangenen Signal, und Entsprechender Gegenstand
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19.03.2025
Mos-Transistor, der vom Substrat eines Integrierten Schaltkreises Isoliert Ist, und Anwendung zur Erkennung der Öffnung eines Geschlossenen Behälters
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Zusammenfassung
The integrated circuit comprises - a first substrate (SB1) and - at least one first MOS transistor (TRP) having a first polysilicon region (P1) electrically isolated from the first substrate and including a gate region (RG), a second polysilicon region (P2) electrically isolated from the first polysilicon region (P1) and from the first substrate (SB1) and including a source region (RS), a substrate region (RSB) and a drain region (RD) of said first transistor, the first polysilicon region (P1) being located between a zone (Z) of the first substrate (SB1) and the second polysilicon region (P2). |
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12.03.2025
Drahtloskommunikationsvorrichtung mit Konfiguration zur Kommunikation über Ultrabreitband
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05.03.2025
Erkennung von Nfc-Geräten
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05.03.2025
Verbesserte Elektronische Vorrichtung für Lidaranwendungen
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Angemeldet am 31.03.2022
Erteilt am 05.03.2025
Vertretung
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29.01.2025
Geschützter Elektronischer Chip
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13.11.2024
Verfahren zur Steuerung der Szene-Erkennung in Echtzeit, um zur Bestimmung eines Kontextes mittels eines Drahtlosen Gerätes, und Dazugehörigen Vorrichtung
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23.10.2024
Speicherzelle
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09.10.2024
Spannungsvergleicher
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La présente description concerne un dispositif électronique comprenant :- un premier circuit (20) comprenant des premier (202) et deuxième (204) transistors reliés en série entre un nœud (3) d'application d'une tension d'alimentation (Vbat) et un nœud (5) d'application d'une tension de référence (GND), les premier et deuxième transistors étant reliés l'un à l'autre par un premier nœud (206) ; et- un deuxième circuit (10), configuré pour comparer une première tension sur le premier nœud à des premier (Vbat) et deuxième (GND) seuils de tension. |
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02.10.2024
Spannungswandler
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28.08.2024
Nfc-Transaktion
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28.08.2024
Verfahren zum Schutz eines Integrierten Schaltkreises, und Entsprechender Integrierter Schaltkreis
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Zusammenfassung
Circuit électronique intégré comportant un dispositif de protection (DIS) comprenant un bouclier métallique (BCL) réalisé dans sa partie d'interconnexion (INT), et des moyens de détection (3) comprenant le bouclier métallique (BCL) et configurés pour détecter une présence d'un rayonnement électromagnétique externe représentatif d'une attaque par injection de fautes. |
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28.08.2024
Nfc und Uwb Kommunikationen
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21.08.2024
Programmierbarer Festwertspeicher
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31.07.2024
Phasenwechselspeicher und dessen Herstellungsverfahren
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24.07.2024
Elektronisches Modul zur Erzeugung von Lichtimpulsen für Lidaranwendungen und Verfahren zur Herstellung des Elektronischen Moduls
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Angemeldet am 04.01.2022
Erteilt am 24.07.2024
Vertretung
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03.07.2024
Schutz einer Transaktion
EP4395187
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Wer vertritt STMicroelectronics (Rousset)?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics (Rousset) vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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