Toshiba Electronic Devices & Storage
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Toshiba Electronic Devices & Storage ist eine Tochtergesellschaft des japanischen Toshiba-Konzerns für Halbleiterbauelemente und Speicherprodukte. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Software und Telekommunikation. Die Anmeldungen betreffen überwiegend Halbleiterbauelemente und zugehörige Steuerschaltungen.
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Patente
254 gesamt| Patent | |||
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25.02.2026
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.02.2024
Erteilt am 25.02.2026
Vertretung
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29.01.2026
Semiconductor device
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Status
Angemeldet am 29.01.2025
Anhängig
Zusammenfassung
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29.10.2025
Entfernungsmessverarbeitungsvorrichtung, Bildverarbeitungsverfahren und Entfernungsmesssystem
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Software & Datenverarbeitung
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Zusammenfassung
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23.10.2025
Semiconductor device, control circuit, control method, program, and storage medium
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 18.04.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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23.10.2025
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
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Status
Angemeldet am 18.04.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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01.10.2025
Distanzmessvorrichtung und Distanzmessverfahren
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
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Zusammenfassung
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18.09.2025
Semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.03.2024
Anhängig
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09.07.2025
Halbleiterbauelement und Layout für Gate-Elektroden
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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18.06.2025
Lichtdetektor und Entfernungsmessvorrichtung
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Zusammenfassung
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28.05.2025
Halbleiteranordnung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.02.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
According to one embodiment, a semiconductor device includes a first electrode (51), a second electrode (52), a third electrode (53), a first semiconductor member, a second semiconductor member, a first insulating member, and a second insulating member. The first to third electrodes extend along a first direction (D1). The third electrode includes a first electrode portion (53a). The first semiconductor member includes Al<sub>x1</sub>Ga<sub>1-x1</sub>N (0 ≤ x1 < 1). The first semiconductor member includes a first partial region, a second partial region, a third partial region, a fourth partial region, a fifth partial region, and a sixth partial region. The second semiconductor member includes Al<sub>x2</sub>Ga<sub>1-x2</sub>N (0 < x2 ≤ 1, x1 < x2). The second semiconductor member includes a first semiconductor portion, a second semiconductor portion and a third semiconductor portion. The first insulating member includes a first insulating portion. The second insulating member includes a first insulating region. |
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