Siltronic
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Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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Patente
281 gesamt| Patent | |||
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17.06.2026
Wafer mit einer Mehrschichtigen Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Mehrschichtigen Struktur
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Status
Angemeldet am 11.12.2024
Anhängig
Vertretung
Killinger, Andreas
Zusammenfassung
A wafer comprising a multilayered structure, wherein the multilayered structure comprises in this ordera silicon substrate;a buffer structure; andone or more monocrystalline device layers having a total thickness of not less than 80 nm and not more than 1000 nm and comprising at least one GaN layer;the buffer structure comprising in this orderat least one AIN nucleation layer;an Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer;at least one superlattice structure comprising 20 to 120 periods, each period consisting of a layer of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and a layer of Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N; anda monocrystalline GaN buffer layer having a carbon concentration of not less than 1 × 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup> and a thickness of not less than 0.5 µm and not more than 4 µm;wherein 0.3≤z≤0.7; 0.6≤x≤1.0; and 0≤y≤0.4; andcharacterized in thatat least one of the at least one superlattice structure comprises carbon in a concentration of not less than 1 × 10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup>, andthe buffer structure comprises islands having a layered structure and consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N, the islands being located in-between the Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer and the at least one superlattice structure consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N. |
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24.12.2025
Verfahren zum Kristallziehen eines Dotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
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Status
Angemeldet am 18.07.2023
Erteilt am 24.12.2025
Zusammenfassung
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19.11.2025
Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
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Zusammenfassung
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12.11.2025
Verfahren zur Bestimmung von Kristalldefekten in einem Werkstück aus Einkristallinem Silizium
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Zusammenfassung
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24.09.2025
Verfahren zum Herstellen eines Hochdotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
EP4621111
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.03.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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10.09.2025
Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
EP4497857
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.06.2018
Anhängig
Zusammenfassung
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13.08.2025
Verfahren zur Reinigung einer Halbleiterscheibe
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Status
Angemeldet am 02.02.2023
Erteilt am 13.08.2025
Zusammenfassung
Verfahren zum Reinigen einer Vorderseite und einer Rückseite einer Halbleiterscheibe umfassend in gegebener Reihenfolge: die Reinigung der Vorderseite der Halbleiterscheibe enthaltend in gegebener Reihenfolge: (1) Vorreinigungsschritt mit Wasser, so dass die Vorderseite noch nass ist, während der nächste Reinigungsschritt beginnt, (2) ein erster Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und anschließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, (3) ein zweiter Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, (4) ein dritter Reinigungsschritt zum Reinigen mit ozonisiertem Wasser und an-schließendem Spülschritt mit gereinigtem Wasser, die gemeinsame Reinigung der Vorderseite und der Rückseite der Halbleiterscheibe enthaltend: einen vierten Reinigungsschritt, der einen Behandlungsschritt mit ozonisiertem Wasser enthält, der gefolgt wird von einem Behandlungsschritt mit einer HF enthaltenden Flüssigkeit, und einen Trocknungsschritt, bei dem beide Seiten der Halbleiterscheibe getrocknet werden. |
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13.08.2025
Vorrichtung und Verfahren zum Trocknen von Scheibenförmigen Substraten
EP4600996
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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30.07.2025
Verfahren zum Epitaktischen Beschichten von Halbleiterscheiben
EP4592429
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Zusammenfassung
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16.07.2025
Verfahren zur Identifizierung der Ursache von Verunreinigungen von Scheiben aus Halbleitermaterial
EP4586307
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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