Siltronic
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Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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Patente
375 gesamt| Patent | |||
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26.08.2026
Verfahren zum Chemisch-Mechanischen Polieren einer Substrathalbleiterscheibe
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Zusammenfassung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemisch-mechanischen-Polieren wenigstens einer Substrathalbleiterscheibe mittels einer Poliervorrichtung umfassend wenigstens einen Polierkopf, der wenigstens eine Druckkammer und einen Haltering am äußeren Rand umfasst, wobei wenigstens eine aktuell zu polierende Substrathalbleiterscheibe eine erste Scheibenseite und eine zweite Scheibenseite umfasst, wobei das Verfahren wenigstens eine Polierabfolge umfasst, welche folgende Schritte umfasst: (I): Kontaktieren der ersten Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe mit einem Poliertuch, welches auf einem Polierteller der Poliervorrichtung aufgebracht ist; (II): Bestimmen und Einstellen eines Polierdrucks an dem Polierkopf, wobei der Polierdruck durch eine Polierdruckverteilung beschrieben ist, wobei sich der Polierdruck aus wenigstens einem Polierkammerdruck einer zugeordneten Druckkammer zusammensetzt, wobei das Bestimmen des Polierdrucks, insbesondere das Bestimmen des wenigstens einen Polierkammerdrucks, durch Rückgriff auf eine Datenbank von Polierrezepten wenigstens in Abhängigkeit wenigstens einer zuvor ermittelten räumlichen Ist-Kontur für die erste Scheibenseite der Substrathalbleiterscheibe und einer vorgebbaren räumlichen Soll-Kontur der ersten Scheibenseite der Substrathableiterscheibe erfolgt; und (III): Ausüben des Polierdruckes, insbesondere des wenigstens einen Polierkammerdrucks, aus Schritt II) auf die zweite Scheibenseite über die zugeordnete wenigstens eine Druckkammer des wenigstens einen Polierkopfs und die Kontaktierung des Halterings auf das Poliertuch. |
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17.06.2026
Wafer mit einer Mehrschichtigen Struktur und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Mehrschichtigen Struktur
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Zusammenfassung
A wafer comprising a multilayered structure, wherein the multilayered structure comprises in this ordera silicon substrate;a buffer structure; andone or more monocrystalline device layers having a total thickness of not less than 80 nm and not more than 1000 nm and comprising at least one GaN layer;the buffer structure comprising in this orderat least one AIN nucleation layer;an Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer;at least one superlattice structure comprising 20 to 120 periods, each period consisting of a layer of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and a layer of Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N; anda monocrystalline GaN buffer layer having a carbon concentration of not less than 1 × 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup> and a thickness of not less than 0.5 µm and not more than 4 µm;wherein 0.3≤z≤0.7; 0.6≤x≤1.0; and 0≤y≤0.4; andcharacterized in thatat least one of the at least one superlattice structure comprises carbon in a concentration of not less than 1 × 10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup> and not more than 1 × 10<sup>20</sup> cm<sup>-3</sup>, andthe buffer structure comprises islands having a layered structure and consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N, the islands being located in-between the Al<sub>z</sub>Ga<sub>1-z</sub>N layer and the at least one superlattice structure consisting of alternating layers of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N and Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N. |
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05.02.2026
Verfahren zur Bestimmung der Form einer Scheibe aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung von Scheiben aus Halbleitermaterial
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 23.07.2025
Anhängig
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24.12.2025
Verfahren zum Kristallziehen eines Dotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.07.2023
Erteilt am 24.12.2025
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20.11.2025
Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.05.2025
Anhängig
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19.11.2025
Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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13.11.2025
Verfahren zur Bestimmung von Kristalldefekten in einem Werkstück aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 11.04.2025
Anhängig
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12.11.2025
Verfahren zur Bestimmung von Kristalldefekten in einem Werkstück aus Einkristallinem Silizium
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.09.2025
Verfahren zum Herstellen eines Hochdotierten Monokristallinen Kristalls aus Silicium
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 18.03.2024
Anhängig
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10.09.2025
Verfahren, Steuerungssystem und Anlage zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.06.2018
Anhängig
Zusammenfassung
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