GlobalFoundries U.S. Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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230 gesamt| Patent | |||
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur mit Einzelwiderstand oder Doppelwiderstandsspeicherelementen zur In-Memory-Pipeline-Verarbeitung
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Angemeldet am 24.07.2023
Anhängig
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur und Verfahren zur Wiederholten Verwendung der Architektur für Mehrere Speicherinterne Verarbeitungsschichten
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Angemeldet am 27.07.2023
Anhängig
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur mit Speicherelementen mit Zwei Widerständen zur Seriellen Verarbeitung im Speicher
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Angemeldet am 27.07.2023
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03.04.2024
Komparatorschaltungen
EP4346101
Elektronik & Schaltungstechnik
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Angemeldet am 08.08.2023
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27.03.2024
Optische Koppler zum Übergang zwischen einem Einschichtwellenleiter und einem Mehrschichtwellenleiter
EP4343394
Optik & Fototechnik
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Angemeldet am 07.08.2023
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20.03.2024
Auslöser für Siliciumgesteurte Gleichrichter
EP4340026
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.07.2023
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13.03.2024
Durch Poröses Halbleitermaterial Isolierte Halbleiterbauelementstrukturen
EP4336545
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.07.2023
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06.03.2024
Torgesteuerte Schutzvorrichtungsstrukturen für eine Schutzschaltung gegen Elektrostatische Entladung
EP4333059
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.07.2023
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17.01.2024
Gateschaltung
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Angemeldet am 14.06.2023
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03.01.2024
Bipolartransistor mit Gestuftem Emitter
EP4300590
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2022
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03.01.2024
Vorrichtung über einer Strukturierten Vergrabenen Porösen Schicht aus Halbleitermaterial
EP4300541
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.10.2022
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03.01.2024
Kantenkoppler mit Überhöhungshilfsfunktion
EP4300148
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 27.10.2022
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27.12.2023
Elektronentransistoren mit Hoher Mobilität und Wärmeableitenden Strukturen
EP4297078
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.11.2022
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27.12.2023
Photodetektoren mit Neben Photodioden Angeordneten Substraterweiterungen und Herstellungsverfahren dafür
EP4297092
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
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27.12.2023
Photonische Integrierte Schaltungsstruktur mit Polarisationsvorrichtung für Hochleistungsanwendungen
EP4296735
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 09.11.2022
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13.12.2023
Lichtkopplung zwischen Gestapelten Photonischen Chips
EP4290284
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 12.10.2022
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06.12.2023
Photonische Strukturen mit Gestapelten Ringresonatoren
EP4286905
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 11.10.2022
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06.12.2023
Vertikale Gitterstrukturen zwischen einem Wellenleiterkern und einem Substrat
EP4286906
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
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06.12.2023
Transistorintegration auf einem Silizium-Auf-Isolator-Substrat
EP4287262
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
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22.11.2023
Heteroübergang-Bipolartransistoren
EP4280286
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.10.2022
Anhängig
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15.11.2023
Isolationsbereiche zur Sammlung und Entfernung von Ladungen
EP4227985
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Anhängig
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15.11.2023
Heteroübergang-Bipolartransistoren
EP4276911
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.10.2022
Anhängig
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18.10.2023
Randkoppler im Back-End-Of-Line-Stapel eines Photonischen Chips mit Versiegeltem Hohlraum
EP4261576
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 11.11.2022
Anhängig
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11.10.2023
Vorrichtung mit Luftspaltstruktur
EP4254476
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.10.2022
Anhängig
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04.10.2023
Feldeffekttransistoren mit einer in einer Substratvertiefung Positionierten Gate-Elektrode
EP4254505
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
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04.10.2023
Lateral Diffundierter Metalloxid-Halbleiter mit Gate-Kontakt
EP4254510
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.10.2022
Anhängig
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27.09.2023
Kohlenstoffimplantation für ein Silicid mit Dickerer Gatestruktur
EP4250367
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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13.09.2023
Lateraler Bipolartransistor mit Wärmeleiter unter der Basis
EP4243056
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.10.2022
Anhängig
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13.09.2023
Bipolartransistorstrukturen mit Basis mit Variierender Horizontaler Breite und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4243083
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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30.08.2023
Lateraler Bipolarer Übergangstransistor mit Gradierter Intrinsischer Silicium-Germanium-Basis
EP4235795
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Anhängig
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Zusammenfassung
A structure for a lateral bipolar junction transistor, the structure comprising: a semiconductor substrate (10); a first terminal (16), for example a collector, including a first raised semiconductor layer (16) on the semiconductor substrate (10); a second terminal (18), for example an emitter, including a second raised semiconductor layer (18) on the semiconductor substrate (10); and an intrinsic base (12, 30, 28) on the semiconductor substrate, the intrinsic base positioned in a lateral direction between the first raised semiconductor layer (16) of the first terminal and the second raised semiconductor layer (18) of the second terminal. The intrinsic base includes a first portion (30) comprising silicon-germanium with a first germanium concentration that is graded in the lateral direction, a second region (12) with a substantially uniform low germanium concentration and a third region (28) with a substantially uniform high germanium content. |
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30.08.2023
Punktgrösseumwandler mit Angewinkelten Facetten
EP4235242
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 04.10.2022
Anhängig
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30.08.2023
Bipolartransistor mit Selbstjustiertem Asymmetrischem Abstandhalter
EP4235799
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
Vertretung
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30.08.2023
Vertikaler Bipolartransistor und Herstellungsverfahren
EP4235796
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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02.08.2023
Randkoppler Integriert mit Doppelringresonatoren
EP4220254
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
Zusammenfassung
Structures including an edge coupler (11) and methods of fabricating a structure including an edge coupler. The structure includes an edge coupler (11) having a longitudinal axis, a first ring resonator (14), and a second ring resonator (15). The first ring resonator (14) has a first center point that is spaced from the longitudinal axis of the edge coupler (11) by a first perpendicular distance. The second ring resonator (15) has a second center point that is spaced from the longitudinal axis of the edge coupler (11) by a second perpendicular distance. |
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02.08.2023
Bipolartransistor und Herstellungsverfahren
EP4220732
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.10.2022
Anhängig
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26.07.2023
Vertikale Bipolartransistoren auf Soi-Substraten mit Kollektoren im Vergrabenen Oxid
EP4216280
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.10.2022
Anhängig
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19.07.2023
Bipolartransistorstruktur mit Kollektor auf einer Polykristallinen Isolationsschicht und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP4213193
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.10.2022
Anhängig
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12.07.2023
Integration von auf Verbindungshalbleitern Basierenden Vorrichtungen und auf Silizium Basierenden Vorrichtungen
EP4210088
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
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12.07.2023
Ic-Struktur mit Poröser Halbleiterschicht in Bulk-Substrat Neben Grabenisolation
EP4210091
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.10.2022
Anhängig
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28.06.2023
Feldeffekttransistoren mit Zwei Feldplatten
EP4203070
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.09.2022
Anhängig
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Wer vertritt GlobalFoundries U.S.?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die GlobalFoundries U.S. vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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