GlobalFoundries U.S. Patente
🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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267 gesamt| Patent | |||
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15.05.2024
E-Sicherung mit Metallfüllung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.09.2023
Anhängig
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15.05.2024
Verbindungshalbleiterwellenleiter mit Luftspaltverkleidung
Optik & Fototechnik
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Angemeldet am 11.10.2023
Anhängig
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08.05.2024
Heteroübergang-Bipolartransistor mit Amorphen Halbleiterzonen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 11.09.2023
Anhängig
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24.04.2024
Ionensensitiver Feldeffekttransistor über einem Mikrofluidischen Hohlraum zur Ionendetektion und -Identifizierung
Verfahrens- & Trenntechnik
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 18.08.2023
Anhängig
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24.04.2024
Eintaktleseverstärker mit Stromimpulsschaltung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 18.08.2023
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24.04.2024
Vorrichtung mit Seitlich Gradiertem Kanalbereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.09.2023
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur mit Einzelwiderstand oder Doppelwiderstandsspeicherelementen zur In-Memory-Pipeline-Verarbeitung
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 24.07.2023
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur und Verfahren zur Wiederholten Verwendung der Architektur für Mehrere Speicherinterne Verarbeitungsschichten
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 27.07.2023
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17.04.2024
Partitionierte Speicherarchitektur mit Speicherelementen mit Zwei Widerständen zur Seriellen Verarbeitung im Speicher
Software & Datenverarbeitung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 27.07.2023
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03.04.2024
Komparatorschaltungen
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.08.2023
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27.03.2024
Optische Koppler zum Übergang zwischen einem Einschichtwellenleiter und einem Mehrschichtwellenleiter
Optik & Fototechnik
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Angemeldet am 07.08.2023
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20.03.2024
Auslöser für Siliciumgesteurte Gleichrichter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.07.2023
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13.03.2024
Durch Poröses Halbleitermaterial Isolierte Halbleiterbauelementstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 13.07.2023
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06.03.2024
Torgesteuerte Schutzvorrichtungsstrukturen für eine Schutzschaltung gegen Elektrostatische Entladung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.07.2023
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17.01.2024
Gateschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 14.06.2023
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03.01.2024
Bipolartransistor mit Gestuftem Emitter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2022
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03.01.2024
Vorrichtung über einer Strukturierten Vergrabenen Porösen Schicht aus Halbleitermaterial
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.10.2022
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03.01.2024
Kantenkoppler mit Überhöhungshilfsfunktion
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 27.10.2022
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27.12.2023
Elektronentransistoren mit Hoher Mobilität und Wärmeableitenden Strukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.11.2022
Anhängig
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27.12.2023
Photodetektoren mit Neben Photodioden Angeordneten Substraterweiterungen und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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27.12.2023
Photonische Integrierte Schaltungsstruktur mit Polarisationsvorrichtung für Hochleistungsanwendungen
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 09.11.2022
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13.12.2023
Lichtkopplung zwischen Gestapelten Photonischen Chips
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 12.10.2022
Anhängig
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06.12.2023
Photonische Strukturen mit Gestapelten Ringresonatoren
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 11.10.2022
Anhängig
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06.12.2023
Vertikale Gitterstrukturen zwischen einem Wellenleiterkern und einem Substrat
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
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06.12.2023
Transistorintegration auf einem Silizium-Auf-Isolator-Substrat
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
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22.11.2023
Heteroübergang-Bipolartransistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.10.2022
Anhängig
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15.11.2023
Isolationsbereiche zur Sammlung und Entfernung von Ladungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Anhängig
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15.11.2023
Heteroübergang-Bipolartransistoren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.10.2022
Anhängig
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18.10.2023
Randkoppler im Back-End-Of-Line-Stapel eines Photonischen Chips mit Versiegeltem Hohlraum
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 11.11.2022
Anhängig
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11.10.2023
Vorrichtung mit Luftspaltstruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.10.2022
Anhängig
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04.10.2023
Feldeffekttransistoren mit einer in einer Substratvertiefung Positionierten Gate-Elektrode
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
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04.10.2023
Lateral Diffundierter Metalloxid-Halbleiter mit Gate-Kontakt
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.10.2022
Anhängig
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27.09.2023
Kohlenstoffimplantation für ein Silicid mit Dickerer Gatestruktur
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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13.09.2023
Lateraler Bipolartransistor mit Wärmeleiter unter der Basis
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.10.2022
Anhängig
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13.09.2023
Bipolartransistorstrukturen mit Basis mit Variierender Horizontaler Breite und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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30.08.2023
Lateraler Bipolarer Übergangstransistor mit Gradierter Intrinsischer Silicium-Germanium-Basis
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.10.2022
Anhängig
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Zusammenfassung
A structure for a lateral bipolar junction transistor, the structure comprising: a semiconductor substrate (10); a first terminal (16), for example a collector, including a first raised semiconductor layer (16) on the semiconductor substrate (10); a second terminal (18), for example an emitter, including a second raised semiconductor layer (18) on the semiconductor substrate (10); and an intrinsic base (12, 30, 28) on the semiconductor substrate, the intrinsic base positioned in a lateral direction between the first raised semiconductor layer (16) of the first terminal and the second raised semiconductor layer (18) of the second terminal. The intrinsic base includes a first portion (30) comprising silicon-germanium with a first germanium concentration that is graded in the lateral direction, a second region (12) with a substantially uniform low germanium concentration and a third region (28) with a substantially uniform high germanium content. |
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30.08.2023
Punktgrösseumwandler mit Angewinkelten Facetten
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 04.10.2022
Anhängig
Vertretung
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30.08.2023
Bipolartransistor mit Selbstjustiertem Asymmetrischem Abstandhalter
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2022
Anhängig
Vertretung
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30.08.2023
Vertikaler Bipolartransistor und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 07.11.2022
Anhängig
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02.08.2023
Randkoppler Integriert mit Doppelringresonatoren
Optik & Fototechnik
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Status
Angemeldet am 27.09.2022
Anhängig
Vertretung
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Zusammenfassung
Structures including an edge coupler (11) and methods of fabricating a structure including an edge coupler. The structure includes an edge coupler (11) having a longitudinal axis, a first ring resonator (14), and a second ring resonator (15). The first ring resonator (14) has a first center point that is spaced from the longitudinal axis of the edge coupler (11) by a first perpendicular distance. The second ring resonator (15) has a second center point that is spaced from the longitudinal axis of the edge coupler (11) by a second perpendicular distance. |
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Wer vertritt GlobalFoundries U.S.?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die GlobalFoundries U.S. vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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