Nichia Patente
🇯🇵 Japan
Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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967 gesamt| Patent | |||
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12.06.2019
Lichtemittierende Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.06.2019
Lichtemittierende Vorrichtung
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.02.2016
Erteilt am 05.06.2019
Vertretung
Zusammenfassung
A light emitting device includes a mount base, a light source portion, and a reflector. The mount base includes a first plane portion and a second plane portion that inclines with respect to the first plane portion. The first plane portion is provided to be parallel to an emission direction of the light emitting device. The light source portion is mounted on the second plane portion and includes at least one light emitting element. The reflector includes a first reflective surface and a second reflective surface. Light emitted from the light source portion is reflected on the first reflective surface to be emitted from the light emitting device in the emission direction. The light emitted from the light source portion is reflected on the second reflective surface toward the first reflective surface. |
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05.06.2019
Beleuchtungsvorrichtung und Leuchte
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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Status
Angemeldet am 29.09.2015
Erteilt am 05.06.2019
Vertretung
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05.06.2019
Lichtemittierende Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2007
Erteilt am 05.06.2019
Vertretung
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29.05.2019
Verfahren zur Herstellung von Fluoreszierendem Nitridmaterial
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 18.08.2016
Erteilt am 29.05.2019
Vertretung
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22.05.2019
Lichtemittierendes Bauelement und dessen Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.05.2019
Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.05.2019
Halbleiterelement und Halbleitervorrichtung damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.05.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.05.2019
Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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01.05.2019
Lichtemittierende Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.04.2019
Nitrid-Halbleiterlaserbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.03.2010
Erteilt am 24.04.2019
Vertretung
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24.04.2019
Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.04.2019
Anzeigevorrichtung und Steuerungsverfahren dafür
Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.03.2013
Erteilt am 24.04.2019
Vertretung
Eisenführ Speiser · München
Eisenführ, Speiser & Partner · Bremen
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17.04.2019
Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses, Verfahren zur Herstellung einer Lichtemittierenden Vorrichtung, Gehäuse und Lichtemittierende Vorrichtung
Kunststoff- & Polymertechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.09.2015
Erteilt am 17.04.2019
Vertretung
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10.04.2019
Fluoreszentes Material, Verfahren zur Herstellung davon und Lichtemittierende Vorrichtung
Farben, Klebstoffe & Brennstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.11.2017
Erteilt am 10.04.2019
Vertretung
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03.04.2019
Nitridhalbleiterlaserelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.08.2011
Erteilt am 03.04.2019
Vertretung
Zusammenfassung
A nitride semiconductor laser element has a ridge (24) formed on the top face (20) of a nitride semiconductor layer (20). Cavity planes (25a,25b) are formed at the ends of a waveguide region (26) provided beneath the ridge. Insulating film (30) is formed on the side faces of the ridge (24) an on the top face of the nitride semiconductor layer (20) such that its ends on the cavity plane side are spaced from cavity planes. End face protective films (70a,70b) made of AIGaN are formed on the cavity planes, a part of the upper face of the nitride semiconductor layer (20) and a part of the surface of insulating film (30), whereby a first region contacting the insulating film has a crystallinity different from a second region contacting semiconductor layer (20). Degradation of the cavity plane can be suppressed. |
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27.03.2019
Beschichtete reflektierende Schicht für eine Lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.03.2019
Impfkristallunterstützte Züchtung von Nitrideinkristall in Überkritischem Ammoniak mit Alkalimetallionen
Metallurgie & Oberflächentechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.03.2019
Nitrid-Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2001
Erteilt am 13.03.2019
Vertretung
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13.03.2019
Nitridhalbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.07.2001
Erteilt am 13.03.2019
Vertretung
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13.03.2019
Gehäuse für lichtemittierende Vorrichtung und lichtemittierende Vorrichtung damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.03.2019
Microwave-Rectifying Circuit
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.08.2018
Anhängig
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07.03.2019
Microwave-Rectifying Circuit
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.08.2018
Anhängig
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27.02.2019
Aktives Material mit positiven Elektroden für nichtwässrige Sekundärbatterie und Verfahren zur Herstellung davon
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present invention provides a positive-electrode active material for non-aqueous secondary battery comprising a sodium transition metal composite oxide represented by Formula: Na x Fe 1-y M y O 2 , wherein 0.4 ¤ x ¤ 0.7, 0.25 ¤ y < 1.0, and M is at least one element selected from the group consisting of manganese, cobalt and nickel, the sodium transition metal composite oxide having a crystal structure substantially composed of P6 3 /mmc alone. |
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20.02.2019
Lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.02.2019
Electrode active material for nonaqueous secondary battery, and method for manufacturing same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.07.2018
Anhängig
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31.01.2019
Semiconductor device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.07.2018
Anhängig
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23.01.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu seiner Herstellung und Lichtemissionsvorrichtung damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.01.2019
Verfahren zur Herstellung eines Leitfähigen Materials, in Diesem Verfahren Gewonnenes Leitfähiges Material, Elektronikgerät mit dem Leitfähigen Material und Lichtemittierende Vorrichtung damit
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.07.2010
Erteilt am 23.01.2019
Vertretung
Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB · München
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16.01.2019
Lichtemittierendes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.10.2009
Erteilt am 16.01.2019
Vertretung
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02.01.2019
Lichtemissionsvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.01.2019
Phosphorhaltiges Element und Lichtemittierende Vorrichtung damit
Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik
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26.12.2018
Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.11.2004
Erteilt am 26.12.2018
Vertretung
Thévenet, Jean-Bruno · Paris
Cougard, Jean-Marie · Paris
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26.12.2018
Halbleiterlaserelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.12.2018
Positivelektroden-Zusammensetzung für eine Sekundärbatterie mit Nichtwässrigem Elektrolyt sowie Herstellungsverfahren für einen Positivelektrodenschlamm mit Dieser Positivelektroden-Zusammensetzung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.11.2018
Leuchtbauelement und Verfahren zu Seiner Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 26.12.2007
Erteilt am 28.11.2018
Vertretung
Naylor, Matthew John · London
Mewburn Ellis LLP · München
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28.11.2018
Lichtemittierende Vorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.11.2018
Zusammensetzung einer positiven Elektrode für eine Sekundärbatterie mit wasserfreiem Elektrolyten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.11.2018
Aggregatplatte, lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Testen eines lichtemittierenden Elements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Nichia?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Nichia vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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