STMicroelectronics International Patente
🇨🇭 Schweiz
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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733 gesamt| Patent | |||
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02.04.2025
Messvorrichtung zur Messung des Abstandes eines Benutzers und Entsprechendes Messverfahren
EP4530677
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Herstellung eines Schottky-Kontakts in einem Elektronischen Bauelement Wie einer Jbs- oder Mps-Diode und Elektronisches Bauelement mit Schottky-Kontakt
EP4531076
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.04.2025
Bewegungsmustererkennung für Power Profile eines Gerätes
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02.04.2025
Laminierte Karte mit Doppelschnittstelle und Entsprechendes Verfahren zur Herstellung einer Laminierten Karte mit Doppelschnittstelle
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Status
Angemeldet am 12.09.2024
Anhängig
Vertretung
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02.04.2025
Integriertes System in einem Gehäuse zur Stromüberwachung auf der Basis eines Magnetfeldes
EP4530640
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Sicherheitswarnung für Tragbare Elektronische Vorrichtungen
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02.04.2025
Drucksensor mit Flansch
EP4530593
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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02.04.2025
Elektronische Schaltung
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02.04.2025
Kühlkörper, Scheibe oder Streuer und Verfahren zu deren Herstellung
EP4531097
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Verarbeitungssystem, Zugehörige Integrierte Schaltung, Vorrichtung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 02.02.2024
Erteilt am 26.03.2025
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26.03.2025
Elektronische Komponente
EP4528798
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Architektur eines Nichtflüchtigen Speichers
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26.03.2025
Polykristallines Siliciumkarbidsubstrat mit Hohem Widerstand und Herstellungsverfahren dafür
EP4528787
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.03.2025
Einzelmaskenstapelätzverfahren zur Herstellung von Treppenstrukturen
EP4513529
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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19.03.2025
Phasenregelkreisschaltung und Entsprechendes Betriebsverfahren
EP4525309
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 26.08.2024
Anhängig
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19.03.2025
Stromversorgungsschaltung, Zugehöriges System und Verfahren
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Status
Angemeldet am 29.08.2024
Anhängig
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12.03.2025
Verfahren zur Herstellung Mikroelektromechanischer Vorrichtungen mit Reduziertem Haftreibungsphänomen
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12.03.2025
Mems-Vorrichtung mit Kompensation der Mechanischen Belastung und Zugehöriges Herstellungsverfahren
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12.03.2025
Verfahren, Systeme und Vorrichtungen zum Schutz der Hamminggewichtsberechnungen gegen Seitenkanalangriffe
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12.03.2025
Netzwerkarchitektur, Entsprechendes Fahrzeug und Verfahren
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Status
Angemeldet am 22.08.2024
Anhängig
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12.03.2025
Befehlsüberwachungsmodul
EP4521276
Software & Datenverarbeitung
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12.03.2025
Verfahren, Systeme und Vorrichtungen zum Zerkleinern von Daten
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12.03.2025
Elektronische Vorrichtung
EP4521884
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Fehlerbeseitigungsverfahren, das durch eine Nfc-Vorrichtung Implementiert Wird
EP4518171
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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05.03.2025
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, Zugehörige Komponente und Halbleiterbauelement
EP4517819
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 06.08.2024
Anhängig
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05.03.2025
Speicherinternes Rechnersystem mit Segmentierter Speicherarchitektur mit Lokaler Speicherarrayauswahl zur Gleichzeitigen Durchführung mehrerer Unabhängiger Operationen
EP4517752
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.03.2025
Steuervorrichtung und Verfahren zum Schalten eines Spannungsreglers
EP4518120
Elektrische Energietechnik
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05.03.2025
Vertikales Leistungsbauelement
EP4518610
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.03.2025
Schreibverfahren in einem Phasenwechselspeicher
EP4517757
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.03.2025
Steuervorrichtung für einen Schaltspannungsregler und Steuerverfahren
EP4518128
Elektrische Energietechnik
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05.03.2025
Verbundwerkstoff mit Piezoelektrischen Eigenschaften, dessen Herstellungsverfahren und Elektronisches Bauteil mit dem Verbundwerkstoff
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05.03.2025
Verarbeitung mit Umgekehrtem Ätzen eines Hemt mit Vertieftem Gate
EP4518612
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.02.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung, Zugehöriges Verfahren und System
EP4513486
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 02.08.2024
Anhängig
Vertretung
Zusammenfassung
A device (20), comprising a memory array (28) comprising memory cells arranged in a set of memory portions (280, 282) and addressable via a pair of row and column values, wherein each memory portion in the set of memory portions (280, 282) comprises at least one sector of memory cells (S) arranged in rows and columns. The device (20) comprises: a set of sense amplifier circuits (240) coupled to and interposed adjacent memory portions in the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28); a control circuit (CL) configured to provide at least one address signal (AS) indicative of a pair of row and column values to localize at least one addressed memory cell in the memory array (28), the control circuit (CL) being further configured to issue read or write access requests towards the at least one addressed memory cell in the memory array (28); a first set of access devices (YO) configured to be made conductive to couple (LBL) an addressed memory cell in a respective memory portion of the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28) to the respective sense amplifier circuit in the set of sense amplifier circuits (240) in response to a read access request issued by the control circuit (CL); a second set of access devices (11) configured to be made conductive to couple an addressed memory cell in a respective memory portion of the set of memory portions (280, 282) of the memory array (28) to the programming bitline (WL) in response to a write access request issued by the control circuit (CL). |
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26.02.2025
Schaltung und Verfahren zur Erfassung und zum Transport von Datenfehlern
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Status
Angemeldet am 11.08.2021
Erteilt am 26.02.2025
Vertretung
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26.02.2025
Abtastschaltung und Verfahren
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Status
Angemeldet am 13.01.2022
Erteilt am 26.02.2025
Vertretung
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26.02.2025
Vorrichtungsschnittstelle in einem Host zur Debug-Authentifizierung
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26.02.2025
Verfahren zum Testen Synchroner Domänen Während eines Blockierten Tests
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Status
Angemeldet am 11.06.2024
Anhängig
Vertretung
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26.02.2025
Teilkettenrekonfiguration zur Prüfzeitreduktion
EP4513207
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 05.08.2024
Anhängig
Vertretung
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19.02.2025
FinFET-Vorrichtung mit isoliertem Kanal
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Zusammenfassung
Despite improvements in FinFETs and strained silicon devices, transistors continue to suffer performance degradation as device dimensions shrink. These include, in particular, leakage of charge between the semiconducting channel and the substrate. An isolated channel FinFET device prevents channel-to-substrate leakage by inserting an insulating layer between the channel (fin) and the substrate. The insulating layer isolates the fin from the substrate both physically and electrically. To form the isolated FinFET device, an array of bi-layer fins can be grown epitaxially from the silicon surface, between nitride columns that provide localized insulation between adjacent fins. Then, the lower fin layer can be removed, while leaving the upper fin layer, thus yielding an interdigitated array of nitride columns and semiconducting fins suspended above the silicon surface. A resulting gap underneath the upper fin layer can then be filled in with oxide to isolate the array of fin channels from the substrate. |
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12.02.2025
Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Programmtreiberschaltung mit einem Spannungsbegrenzer
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Status
Angemeldet am 21.05.2021
Erteilt am 12.02.2025
Vertretung
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Wer vertritt STMicroelectronics International?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die STMicroelectronics International vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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