STMicroelectronics International

La présente description concerne un dispositif de commande (100) d'un commutateur de puissance (200) à trois électrodes (202, 204, 206), comprenant : - un circuit de détection (102) comprenant des transistors bipolaires (108, 110, 110) couplés à une première électrode de puissance (202) du commutateur de puissance, et configuré pour extraire un courant de détection dont la valeur est proportionnelle à celle d'une tension entre la première et une deuxième électrodes de puissance (202, 204) du commutateur de puissance lorsque le commutateur de puissance est bloqué ; - un circuit d'amorçage (104), couplé à une électrode de commande (206) du commutateur de puissance et au circuit de détection, et configuré pour délivrer un courant d'amorçage non nul sur l'électrode de commande lorsque le courant de détection est nul et qu'un signal de commande d'amorçage non nul est reçu sur une entrée de commande (106) du circuit d'amorçage.

The present disclosure is directed to a stacked assembly including a polycrystalline Silicon Carbide (SiC) substrate on which a monocrystalline SiC layer and one or more epitaxial layers are stacked. The one or more epitaxial layers are completely separated from the polycrystalline SiC substrate by the monocrystalline layer, which is stacked on the polycrystalline SiC substrate such that the monocrystalline SiC layer is between the one or more epitaxial layers and a respective surface of the polycrystalline SiC substrate. The present disclosure is further directed to one or more embodiments of methods of manufacturing one or more embodiments of the stacked assemblies.

A semiconductor die (14) is arranged at a die pad (10) of a leadframe (21) comprising an array of electrically conductive leads (12, 22) around the die pad (10). The array including a first (12) and a second (22) set of electrically conductive leads (22).At least one conductive lead in the first set of electrically conductive leads (22) comprises a base lead portion (22A) co-planar with the die-pad (10) and a raised lead portion (22B), wherein the die pad (10) is arranged at a downset location with respect to said raised lead portion (22B).The semiconductor die (14) is electrically coupled to leads (12) in the second set of electrically conductive leads (12) via electrically conductive wires (16) extending therebetween.The semiconductor die (14) is electrically coupled to the at least one conductive lead (22) in the first set of electrically conductive leads (22) by applying onto the semiconductor die (14) and the electrically conductive wires (16) an electrically conductive clip (28) comprising an electrically conductive protrusion (280) electrically coupled to the semiconductor die (14) as well as at least one distal portion (282) electrically coupled to the raised lead portion (22B) of the at least one conductive lead (22) in the first set of electrically conductive leads (22).

La présente description concerne un procédé et un dispositif de communication en champ proche utilisant une trame d'interrogation (401) comprenant au moins une donnée paramétrable (402).

Dispositif (100) de limitation d'un courant, comportant : - un amplificateur différentiel (110) configuré pour égaliser des tensions aux bornes d'un transistor de puissance (106) et d'un transistor de mesure (108) ; - un circuit de régulation (112) d'un courant de sortie du dispositif de limitation de courant, comprenant un amplificateur de transconductance (114) configuré pour limiter le courant de sortie lorsqu'un potentiel électrique de sortie de l'amplificateur différentiel est supérieur ou égal à un potentiel électrique de référence proportionnel à un courant de référence dont la valeur est égale à I<LIMIT>/(N.M), avec I<LIMIT> correspondant à une valeur limite de courant, N correspondant à un rapport de dimensions entre le transistor de puissance et le transistor de mesure, et M correspondant à un rapport de dimensions entre des transistors (116, 118) d'un miroir de courant couplé au transistor de mesure.

A double-sided cooling (DSC) semiconductor package (213) is summarized as including a first assembly having a plurality of pillars (202) that extend outward from a first heat sink or dissipation structure (102) and at least one die (204) that is pre-coupled to the first heat sink or dissipation structure (102). A second assembly includes a plurality of flanges (210, 240) that are pre-welded or pre-coupled to a second heat sink or dissipation structure (104). The first assembly and second assembly are pre-formed before being coupled together. After the first assembly and the second assembly have been formed, the first assembly is coupled to the second assembly. After the pre-formed stacked semiconductor assembly has been formed, a molding compound (215) is applied to form the first embodiment of the double-sided cooling (DSC) semiconductor package or device.

La présente description porte sur un circuit de commutation (205) comprenant au moins un premier transistor bipolaire configuré pour être couplé à au moins un composant électrique (106, 109, 506, 507) à commuter, le transistor bipolaire (60) ayant une première électrode de conduction couplée à un potentiel électrique de référence par l'intermédiaire d'au moins un composant résistif (61) ou inductif ou un deuxième transistor (71).

La présente description concerne un procédé de mise à jour d'un ou plusieurs programmes (222, 309) d'un microcontrôleur (100), le procédé comprenant la mise à jour individuelle de différentes images desdits un ou plusieurs programmes (222, 309), la mise à jour de chacune de ces images comprenant : - la sélection d'un programme à exécuter, parmi plusieurs programmes, lors d'un démarrage du microcontrôleur ; - la sélection d'un ou plusieurs emplacements mémoires desdits un ou plusieurs programmes (222, 309), dans lequel charger une image servant à la mise à jour ; et - la mise à jour de données de versions, et de dépendance d'images, desdits un ou plusieurs programmes (222, 309), contenues dans un programme de mises à jour (ROT).

The present description concerns an encryption/decryption unit (120), implementing an encryption/decryption algorithm, and comprising a control unit (350):- dedicated to the encryption/decryption unit; and- configured to deny access, by a bus (162, 170, 172, 174) external to the encryption/decryption unit, during data decryption and encryption operations, to the content of memory elements (206, 208) used to store data decrypted by the encryption/decryption unit (120).

A deployment circuit (20) for a pyrotechnic device (101) is disclosed. The deployment circuit (20) comprises a first terminal (122a) and a second terminal (122b) configured to be connected to the pyrotechnic device (101). A driver circuit (200) comprises at least one electronic switch (2002a) configured to selectively connect the first terminal (122a) and the second terminal (122b) to a supply voltage (V_IN) in response to determining that a deployment control signal (DEP_CMD) is asserted. A current limiter (2000a) limits the current (I_PYRO) provided via the first terminal (122a) and the second terminal (122b) to a maximum value (IMAX). A control circuit (202) drives the driver circuit (200) as a function of a fire request signal (REQ).Specifically, when the fire request signal (REQ) is de-asserted, the control circuit determines (1004) whether a first value (MR) indicative of a resistance (R_PYRO) between the first terminal (122a) and the second terminal (122b) is between a first threshold and a second threshold. In response to determining that the first value (MR) is not between the first threshold and the second threshold, the control circuit signal (1016) an error.Conversely, when the fire request signal (REQ) is asserted, the control circuit starts (1006) a deployment cycle by asserting the deployment control signal (DEP_CMD), and stops (1010) the deployment cycle after a given time-period (t_DC) by de-asserting the deployment control signal (DEP_CMD). The control circuit monitors (1008) during the deployment cycle a value (CNT) indicative of the time (t_DEPLOY) where the current (I_PYRO) provided via the first terminal (122a) and the second terminal (122b) is greater than a current threshold (I_TH). Moreover, once the deployment cycle has been stopped, the control circuit obtains (1012) a second value (MR) indicative of the resistance (R_PYRO) between the first terminal (122a) and the second terminal (122b), and determines (1014) whether the monitored value (CNT) indicates that the time (t_DEPLOY) is greater than a time threshold (t_TH) and whether the second value (MR) is greater than a third threshold. Specifically, when both conditions are satisfied, the control circuit signals (1020) a correct deployment of the pyrotechnic device (101).