Wolfspeed Patente
🇺🇸 USA
Wolfspeed ist ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleitern auf Basis von Siliziumkarbid für Leistungselektronik und HF-Anwendungen. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente sowie Elektronik- und Fertigungstechnik.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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327 gesamt| Patent | |||
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10.04.2024
Mehrschichtige Verkapselung für Feuchtigkeitsrobustheit und Hoch Beschleunigte Belastungstests und Zugehörige Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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04.04.2024
Silicon carbide device with single metallization process for ohmic and schottky contacts
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 29.09.2023
Anhängig
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28.03.2024
Device and process for implementing silicon carbide (sic) surface mount devices
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 21.09.2023
Anhängig
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27.03.2024
Verfahren zur Bildung von Halbleiterkontakten und Halbleitervorrichtungen damit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.07.2011
Erteilt am 27.03.2024
Vertretung
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27.03.2024
Feldeffekttransistor mit Integrierter Serienkapazität
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2024
Transistoren mit Halbleiteroberflächenmodifikation und Zugehörige Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2024
Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Hoher Elektronenmobilität und Verbesserter Leistung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2024
Schaltungen und Gruppe-Iii-Nitrid-Transistoren mit Vergrabenen P-Schichten und Gesteuerten Gate-Spannungen und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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27.03.2024
Feldeffekttransistor mit Selektiver Kanalschichtdotierung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2024
Gruppe-Iii-Nitrid-Transistoren mit Rückbarrierenstrukturen und Vergrabenen P-Typ-Schichten und Verfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.03.2024
Feldeffekttransistor mit Source-Verbundener Feldplatte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.03.2024
Ausgangsintegrierte Transistorverstärkergehäuse mit Internen Verbindungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
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13.03.2024
Komponenten einer Integrierten Passiven Vorrichtung (ipd) und Verpackung und Verfahren zur Implementierung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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06.03.2024
Eingelassene Feldplattentransistorstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 02.06.2014
Erteilt am 06.03.2024
Vertretung
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06.03.2024
Verkapselung für Halbleiterbauelemente mit Breitem Bandabstand
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.02.2024
Leistungsmodul
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.01.2024
Halbleiteranordnung mit Grossem Bandabstand mit Sensorelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.01.2024
Halbleiteranordnungen mit Gate-Widerständen mit Geringer Variation der Widerstandswerte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.01.2024
Halbleiteranordnungen mit Stromverschiebungsregionen und Diesbezügliche Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 20.11.2009
Erteilt am 03.01.2024
Vertretung
Cross, Rupert Edward Blount · London
Cross, Rupert Edward Blount · London
Boult Wade Tennant LLP · London
Boult Wade Tennant · London
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28.12.2023
Packages with backside mounted die and exposed die interconnects and methods of fabricating the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.06.2023
Anhängig
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28.12.2023
Power Module
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.06.2023
Anhängig
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27.12.2023
Doherty-Verstärkervorrichtungen mit Flip-Chip
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Zusammenfassung
A power amplifier includes a substrate, first and second transistor amplifiers, and at least one matching circuit. Respective output terminals of the first and second transistor amplifiers are coupled to a combining node, and the matching circuit includes one or more passive electrical components coupled between one of the respective output terminals and the combining node. At least one of the first and second transistor amplifiers or the one or more passive electrical components is mounted on the substrate in a flip chip configuration. The matching circuit may include a shunt inductance that is coupled to the one of the respective drain terminals by a conductive bump. Related devices are also discussed. |
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27.12.2023
Multigate-Transistor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.05.2014
Erteilt am 27.12.2023
Vertretung
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27.12.2023
Integriertes Leistungsmodul
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.12.2023
Leistungshalbleiterbauelement mit Reduzierter Verspannung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.12.2023
Verfahren zur Bearbeitung von Siliziumkarbidwafern mit Entspanntem Positivem Bogen
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 13.03.2020
Erteilt am 20.12.2023
Vertretung
Boult Wade Tennant LLP · London
Murgitroyd & Company · Glasgow
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20.12.2023
Hochleistungsfähiges Leistungsmodul
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.05.2014
Erteilt am 20.12.2023
Vertretung
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20.12.2023
Gruppe-Iii-Nitrid-Transistoren mit Hoher Elektronenmobilität und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.12.2023
Power package having connected components and processes implementing the same
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.06.2023
Anhängig
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13.12.2023
Modulares Halbleiterbauelementgehäuse mit Gleichförmigen Transistorkomponenten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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13.12.2023
Hf-Verstärkervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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06.12.2023
Verfahren zur Verarbeitung von Halbleiterwafern mit Siliciumkarbid-Leistungsvorrichtungen darauf
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 12.09.2006
Erteilt am 06.12.2023
Vertretung
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06.12.2023
Verkapselte Elektronische Vorrichtungen mit Substraten mit Thermisch Leitenden Haftschichten
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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15.11.2023
Hochfrequenz-Transistorverstärker mit Erweiterten Und/oder Asymmetrischen Source-/drain-Regionen für Verbesserte Einschaltwiderstandsleistung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.11.2023
Vorrichtungen mit Gestapelten Drahtbonds und Verfahren zur Formung davon
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
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15.11.2023
Schottky-Struktur mit Zentralen Implantaten zwischen Übergangsbarrierenelementen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.11.2023
Mischdotierung eines Halbisolierenden Gruppe-Iii-Nitrids
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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25.10.2023
Einkristalline Siliciumcarbidmaterialien von Grossen Abmessungen und Reduzierter Kristallographischer Belastung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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18.10.2023
Stabilisiertes, Hochdotiertes Siliciumcarbid
Metallurgie & Oberflächentechnik
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18.10.2023
Halbleiterbauelemente für Verbesserte Messungen und Zugehörige Verfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Wer vertritt Wolfspeed?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Wolfspeed vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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