Beijing Superstring Academy of Memory Technology Patente
🇨🇳 China
Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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255 gesamt| Patent | |||
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11.03.2026
Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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05.02.2026
Fast table lookup circuit, memory, storage module, chip, and fast table lookup method
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 04.11.2024
Anhängig
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05.02.2026
Sensing circuit, memory and access control method therefor, and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 12.10.2024
Anhängig
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29.01.2026
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.10.2024
Anhängig
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29.01.2026
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
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Status
Angemeldet am 21.10.2024
Anhängig
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29.01.2026
Small-sized oxide semiconductor etching method
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Status
Angemeldet am 29.11.2024
Anhängig
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29.01.2026
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 21.10.2024
Anhängig
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29.01.2026
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.10.2024
Anhängig
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22.01.2026
Cxl memory module, memory repair method, control chip, medium, and system
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 16.10.2024
Anhängig
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22.01.2026
Cxl memory module, error correction method, control chip, medium, and system
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 11.10.2024
Anhängig
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22.01.2026
Cxl memory module, memory repair method, chip, medium, and system
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 16.10.2024
Anhängig
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15.01.2026
Method for reducing bus load, cxl module, processing system, and processor chip
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 12.10.2024
Anhängig
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08.01.2026
Cxl module, controller, task processing method, medium, and system
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 10.10.2024
Anhängig
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02.01.2026
Memory and access method therefor, and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 10.09.2024
Anhängig
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18.12.2025
Vertical transistor having c-shaped channel and manufacturing method therefor
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 16.06.2025
Anhängig
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18.12.2025
Memory and access method therefor, and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 05.11.2024
Anhängig
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11.12.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.09.2024
Anhängig
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04.12.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 10.09.2024
Anhängig
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04.12.2025
Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.10.2024
Anhängig
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27.11.2025
Semiconductor structure and preparation method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 25.10.2024
Anhängig
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27.11.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.10.2024
Anhängig
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20.11.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2024
Anhängig
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20.11.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 05.11.2024
Anhängig
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20.11.2025
Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 04.11.2024
Anhängig
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06.11.2025
Sensitive sensor, data processing method and memory
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 23.09.2024
Anhängig
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06.11.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 24.09.2024
Anhängig
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06.11.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 08.11.2024
Anhängig
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16.10.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 30.09.2024
Anhängig
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09.10.2025
Memory and access control method therefor, and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 24.10.2024
Anhängig
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08.10.2025
Halbleiterstruktur und Verfahren zu Ihrer Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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02.10.2025
Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 11.09.2024
Anhängig
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25.09.2025
Leseverstärker und Messverfahren Dafür, Speichervorrichtung und Datenleseverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a sense amplifier and a sensing method thereof, a storage device and a data reading method therefor, and an electronic device. The sense amplifier (1) is configured to be connected to a bit line (BL) to read data stored in a storage unit (U). The sense amplifier (1) comprises a charge integrator (11) and a secondary amplifier (12). The charge integrator (11) is correspondingly connected to the storage unit (U) by means of the bit line (BL), and is configured to: measure the total amount of charge flowing into or out of the bit line (BL) under a stable bit line (BL) voltage, and convert the total amount of charge into a voltage as an initial read signal. The secondary amplifier (12) is connected to an output end of the charge integrator (11) and is configured to: compare the initial read signal with a reference signal so as to output a data read signal on the basis of a comparison result between the initial read signal and the reference signal. |
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25.09.2025
Speichervorrichtung und Datenleseverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Zusammenfassung
The present disclosure relates to a storage apparatus and a data read method therefor, and an electronic device. The storage apparatus comprises a plurality of storage units (U); word lines (WL), which extend in a first direction and are connected to first electrodes (11) of storage units (U) in corresponding rows; bit lines (BL), which extend in a second direction and are connected to second electrodes (12) of storage units (U) in corresponding columns; and a read/write controller (2), which is connected to the word lines (WL) and the bit lines (BL), and is configured to set the voltage of each word line (WL) to a first initial voltage, set the voltage of each bit line (BL) to a second initial voltage, set the voltage of a selected bit line (BL) to a first selected voltage, connect the selected bit line (BL) to an induction amplifier (24), and set the voltage of a selected word line (WL) to a second selected voltage, such that the induction amplifier (24) outputs a data read signal on the basis of whether charge transfer has occurred on the bit line (BL), wherein the data read signal is used for representing data stored in the storage units (U). |
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25.09.2025
Speichervorrichtung und Datenleseverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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25.09.2025
Leseverstärker und Messverfahren Dafür, Speichervorrichtung und Datenleseverfahren dafür sowie Elektronische Vorrichtung
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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18.09.2025
Storage structure, memory and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 14.09.2024
Anhängig
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12.09.2025
Memory and access control method therefor, and electronic device
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 04.11.2024
Anhängig
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11.09.2025
Data backup method, cxl controller, cxl module, and storage medium
Software & Datenverarbeitung
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Status
Angemeldet am 08.11.2024
Anhängig
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04.09.2025
Semiconductor structure and preparation method therefor, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 17.10.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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14.08.2025
Memory cell, memory, memory preparation method, chip, and electronic device
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.09.2024
Anhängig
Zusammenfassung
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Wer vertritt Beijing Superstring Academy of Memory Technology?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Beijing Superstring Academy of Memory Technology vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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