Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Patente
🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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8.392 gesamt| Patent | |||
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21.09.2016
Sensor für Piezoresistive Detektion auf Gleicher Ebene
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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21.09.2016
Umsetzungsverfahren für eine Vorrichtung zum Widerstandsschweißen in der Festphase
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 15.12.2011
Erteilt am 21.09.2016
Vertretung
Collin, Jérôme · Paris
Regimbeau · Rennes
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21.09.2016
Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtigen Struktur auf einem Substrat
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.12.2012
Erteilt am 21.09.2016
Vertretung
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21.09.2016
Greifvorrichtung für einen Co-Handling-Roboter sowie mit Solch einer Vorrichtung Ausgestatteter Co-Handling-Roboter
Verpackungs- & Fördertechnik
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 06.11.2014
Anhängig
Vertretung
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21.09.2016
Durchführungsvorrichtung, insbesondere für ein Medizinisches Implantatsystem und Herstellungsverfahren
Medizintechnik & Gesundheit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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21.09.2016
Mit einer Nicht-Flüchtigen Absicherung Ausgestattetes Gatter C
Akustik, Musik & Datenspeicherung
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Status
Angemeldet am 02.09.2015
Erteilt am 21.09.2016
Vertretung
Zusammenfassung
L'invention concerne un circuit comprenant : une porte C comportant des premier et deuxième noeuds d'entrée et des premier et deuxième inverseurs (110, 112) couplés de façon croisée entre des premier et deuxième noeuds de mémorisation complémentaires ( Q , Z), le deuxième noeud de mémorisation (Z) formant un noeud de sortie de la porte C ; et une mémoire non volatile comprenant : un premier élément résistif (202) ayant une première borne couplée au premier noeud de mémorisation ( Q ); un deuxième élément résistif (204) ayant une première borne couplée au deuxième noeud de mémorisation (Z), au moins l'un des premier et deuxième éléments résistifs étant programmable pour prendre l'un d'au moins deux états résistifs (R min , R max ), une deuxième borne du premier élément résistif (202) étant couplée à une deuxième borne du deuxième élément résistif (204) par l'intermédiaire d'un premier transistor (210) ; et un circuit de commande (232). |
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15.09.2016
Electrode material comprising silicon nanowires covered by a mesoporous oxide nanostructured coating and ionic liquid electrolytes for energy storage applications
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2016
Anhängig
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14.09.2016
Verfahren zur Herstellung eines Mischsubstrats und Verwendung für die Herstellung von CMOS-Schaltungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 28.02.2008
Erteilt am 14.09.2016
Vertretung
Jouvray, Marie-Andrée · Grenoble
Hecké, Gérard · Grenoble
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14.09.2016
Kühlsystem für eine Brennstoffzelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2016
Verfahren zur Montage einer Vorrichtung mit einem Mikroelektronischen Chip in einer Faser, Chipvorrichtung und Faser mit der Eingepressten Chipvorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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14.09.2016
Primärwandkomponente eines Kernfusionsreaktors und Herstellungsverfahren dafür
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 27.07.2012
Erteilt am 14.09.2016
Vertretung
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14.09.2016
Verfahren zum Laden einer Bleisäurebatterie unter Berücksichtigung der Oxidierung, Verfahren zur Erzeugung einer Grafischen Darstellung des Ladeverfahrens, Vorrichtung im Zusammenhang mit dem Ladeverfahren sowie Aufzeichnungsmedium im Zusammenhang mit dem Ladeverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2016
Verfahren zur Herstellung eines Thermoelektrischen Materials
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 31.05.2013
Erteilt am 14.09.2016
Vertretung
Cabinet Laurent & Charras · Dardilly
Ipsilon · Bourg-la-Reine
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14.09.2016
Stromabnehmer mit Integrierter Dichtungsvorrichtung, Bipolare Batterie mit Solch einem Stromabnehmer
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 01.07.2013
Erteilt am 14.09.2016
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14.09.2016
Vorrichtung zur Messung der Verstärkung eines Elektromagnetfeldsensors
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2016
Anordnung von Modulen eines Solarkraftwerks
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 14.01.2014
Erteilt am 14.09.2016
Vertretung
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14.09.2016
Verfahren zum Erfassen einer Störung durch einen Hysteresezyklus mit Hilfe eines nicht-linearen elektromechanischen Resonators, und Vorrichtung, die dieses Verfahren anwendet
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2016
Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht einer MYx-Formel durch Atomlagenabscheidung
Metallurgie & Oberflächentechnik
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Status
Angemeldet am 23.01.2015
Erteilt am 14.09.2016
Vertretung
Ipsilon · Bourg-la-Reine
Cabinet Laurent & Charras · Dardilly
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09.09.2016
Chip Comprising Deformation Compensation Layers
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.03.2015
Anhängig
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07.09.2016
Verfahren zur Kompensation von Nichtlinearitäten in einem Kommunikationssystem und Empfängervorrichtung
Elektronik & Schaltungstechnik
Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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Status
Angemeldet am 01.08.2007
Erteilt am 07.09.2016
Vertretung
Poulin, Gérard · Paris
Ahner, Philippe · Paris La Défense
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07.09.2016
Verfahren zur Vorbereitung Und/oder Behandlung einer Biologischen Probe
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.09.2016
Gehäuse, Elektrischer Anschluss damit und Fahrzeug mit dem Anschluss
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 15.03.2010
Erteilt am 07.09.2016
Vertretung
Renous Chan, Véronique · Aubervilliers
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07.09.2016
Integrierter Soi-Schaltkreis mit Transistoren mit Separaten Schwellenspannungen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.09.2016
Herstellungsverfahren einer Struktur, die ein Graphenblatt mit Metalllötstützpunkten enthält, so erhaltene Struktur und ihre Anwendungen
Anorganische Chemie & Werkstoffe
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.09.2016
Verfahren und Vorrichtung zum Messen eines Magnetfeldes und der Temperatur eines Magnetoresistiven Wandlers
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.09.2016
Verfahren zur Ausführung, in einem Bordeigenen Multitasking-System, einer Anwendung, die Gemäss einer Vielzahl Verschiedener Zeitdomänen, Einschliesslich Unterbrechungsverwaltung, Zeitgesteuert Ist
Software & Datenverarbeitung
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07.09.2016
Verfahren zur Messung der Festigkeit eines Materials
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.09.2016
Pv-Zelle mit einem Heteroübergang und Verfahren zur Herstellung Solch einer Zelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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07.09.2016
Polymermembranelektrode zur Potentiometrischen Detektion mindestens eines Analyten in einer Lösung und Chemischer Sensor mit Solch einer Elektrode
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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07.09.2016
Verfahren zur Trennung eines Paar aus einem Tensid und mindestens einem Ion
Verfahrens- & Trenntechnik
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07.09.2016
Verfahren zur Deformierung eines Dünnfilmmusters, und Herstellungsverfahren von Transistoren, bei dem dieses Verfahren umgesetzt wird
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The method involves etching at a periphery of a surface having dimensions greater than that of a pattern surface, of a buried layer of silicon oxide (3) and of a stress layer of silicon-germanium alloy (2) over a part of the depth of the layer of alloy, where the buried layer of silicon oxide is situated between a semiconductive material layer i.e. silicon layer (4), and the stress layer of silicon-germanium alloy. A function related to the trend of optimum thickness of the layer of alloy is determined as a function of a pattern dimension to obtain maximum stress in the pattern. An independent claim is also included for a method for manufacturing a transistor. |
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07.09.2016
Herstellungsverfahren von EUV-Masken, die den Einfluss von Substratdefekten minimieren
Optik & Fototechnik
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01.09.2016
Wire cutting device comprising a system for lubricating the wire by spraying and a system for cleaning the wire by spraying
Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik
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Status
Angemeldet am 22.02.2016
Anhängig
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31.08.2016
Verfahren zur Vorbereitung metallischer Proben und Autoklav zur Umsetzung dieses Verfahrens
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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Status
Angemeldet am 17.12.2010
Erteilt am 31.08.2016
Vertretung
Callon de Lamarck, Jean-Robert · Paris
Regimbeau · Rennes
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31.08.2016
Stapelung eines Sichtbaren Bildes und eines Synthetischen Hologramms
Optik & Fototechnik
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31.08.2016
Verfahren zur Herstellung Zumindest einer Mikropumpe mit Verformbarer Membran und Mikropumpe mit Verformbarer Membran
Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen)
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31.08.2016
Verfahren zur Auswahl einer Ressource aus mehreren Verarbeitungsressourcen für den Weitgehend Identischen Verlauf des Wahrscheinlichen Zeitablaufs vor einem Ressourcenfehler
Steuerungs- & Regelungstechnik
Software & Datenverarbeitung
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31.08.2016
Leiterplatte für Verbindung und Messung von Batteriezellen in einer Batterie
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 31.01.2012
Erteilt am 31.08.2016
Vertretung
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31.08.2016
Kühlsystem für eine Brennstoffzelle
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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31.08.2016
Korrektur von Doppelbitfehlern in einem Codewort mit Hammingdistanz Drei oder Vier
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 26.06.2013
Erteilt am 31.08.2016
Vertretung
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Wer vertritt Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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