Nexperia Patente
🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
Patente nach Anmeldejahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung.
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458 gesamt| Patent | |||
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05.10.2022
Halbleiterbauelement und Esd-Schutzvorrichtung damit
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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28.09.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 27.11.2015
Erteilt am 28.09.2022
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Crawford, Andrew · Nijmegen
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28.09.2022
Kaskodenhalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2022
Halbleitervorrichtung mit Voneinander Getrennten Grabenstrukturen
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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14.09.2022
Verpackte Halbbrückenschaltung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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24.08.2022
Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 03.12.2014
Erteilt am 24.08.2022
Vertretung
Crawford, Andrew · Nijmegen
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
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24.08.2022
Halbleiterbauelementpositionierungssystem und Verfahren zur Halbleiterbauelementpositionierung
Optik & Fototechnik
Steuerungs- & Regelungstechnik
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Status
Angemeldet am 08.05.2017
Erteilt am 24.08.2022
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Crawford, Andrew · Nijmegen
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17.08.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.08.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.08.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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03.08.2022
Por-Schaltung
Elektronik & Schaltungstechnik
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Status
Angemeldet am 25.09.2020
Anhängig
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Algemeen Octrooi- en Merkenbureau B.V · Eindhoven
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27.07.2022
Schaltungsanordnung mit Spannungsbegrenzung und Kapazitiver Verbesserung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 15.05.2017
Erteilt am 27.07.2022
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Crawford, Andrew · Nijmegen
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27.07.2022
Verkapseltes Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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27.07.2022
Trench-Gate-Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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13.07.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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08.06.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.05.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.04.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 23.10.2017
Erteilt am 20.04.2022
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Crawford, Andrew · Nijmegen
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30.03.2022
Halbleiterbauelement mit Verbessertem Verbindungsabschlusserweiterungsbereich
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Zusammenfassung
The present invention relates to a semiconductor device having an improved junction termination extension region. The present invention particularly relates to diodes having such an improved junction termination extension. The semiconductor device according to the present invention comprises an active area extending in a first direction, and a junction termination extension, 'JTE', region of a first charge type surrounding the active area, wherein the JTE region comprises a plurality of field relief sub-regions that each surround the active area and that are mutually spaced apart in a direction perpendicular to a circumference of the active area. According to the present invention, the plurality of field relief sub-regions comprises a first group of field relief sub-regions, wherein for each field relief sub-region of the first group, a plurality of field relief elements of a second charge type is provided therein, which field relief elements are mutually spaced apart in a circumferential direction with respect to the active area. |
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30.03.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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23.03.2022
Halbleiterpackung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterpackung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.02.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.02.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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09.02.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.01.2022
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Elektronik & Schaltungstechnik
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26.01.2022
Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.01.2022
Halbleiterstruktur mit Schutz vor Elektrostatischer Entladung und Verfahren zur Herstellung
Elektrische Energietechnik
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.01.2022
Halbleiterstruktur mit Schutz vor Elektrostatischer Entladung und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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20.01.2022
Package substrate manufacturing method
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.07.2021
Anhängig
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08.12.2021
Elektrische Leistungswandlereinheit zur Umwandlung von Gleichstrom in Gleichstrom, Dc-Dc, mit Verfolgung des Maximalleistungspunktes, Mppt, um einen Möglichst Hohen Wirkungsgrad zu Erreichen
Steuerungs- & Regelungstechnik
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 30.01.2020
Anhängig
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Algemeen Octrooi- en Merkenbureau B.V · Eindhoven
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03.11.2021
Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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15.09.2021
Drahtloses Halbleitergehäuse und Herstellungsverfahren
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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11.08.2021
Datenübertragungssystem
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Status
Angemeldet am 09.03.2015
Erteilt am 11.08.2021
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Crawford, Andrew · Nijmegen
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11.08.2021
Schaltung zur Erfassung einer Doppelten Stromversorgung
Elektronik & Schaltungstechnik
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09.06.2021
Klebstoffabgabeeinheit
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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26.05.2021
Schmitt-Auslöserspannungskomparator
Elektronik & Schaltungstechnik
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19.05.2021
Leitungsrahmenanordnung für ein Halbleiterbauelement
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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05.05.2021
Kombinierte Mcd- und Mos-Transistorhalbleitervorrichtung
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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10.03.2021
Gleichspannungsstromwandler
Elektrische Energietechnik
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Status
Angemeldet am 01.05.2019
Anhängig
Vertretung
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
Algemeen Octrooi- en Merkenbureau B.V · Eindhoven
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17.02.2021
Heteroübergang-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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Angemeldet am 22.05.2012
Erteilt am 17.02.2021
Vertretung
Crawford, Andrew · Nijmegen
Pjanovic, Ilija · Nijmegen
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Wer vertritt Nexperia?
Die Kanzleien und Patentanwälte, die Nexperia vertreten, sowie alle Technologiefelder im vollständigen Anmelder-Profil.
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